亞微米MOS器件的熱載流子效應(yīng)研究.pdf

1、隨著微電子技術(shù)的迅速發(fā)展,MOS器件特征尺寸不斷按比例減小,導(dǎo)致熱載流子效應(yīng)日益嚴(yán)重。近三十年來,MOS器件熱載流子效應(yīng)的研究已經(jīng)成為了集成電路可靠性問題的重要研究課題。本論文中,根據(jù)MOS器件熱載流子退化的基本過程,對(duì)亞微米MOS器件熱載流子應(yīng)力下的缺陷,器件退化特性和物理機(jī)制等可靠性問題進(jìn)行了研究。熱載流子退化主要?dú)w于電子俘獲、空穴俘獲和界面態(tài)產(chǎn)生。熱載流子退化過程非常復(fù)雜并且依賴于應(yīng)力條件、器件結(jié)構(gòu)、柵氧化層質(zhì)量。
　　

2、介紹了近年來MOSFET的熱載流子效應(yīng)研究現(xiàn)狀以及測量技術(shù),總結(jié)了器件會(huì)遇到四種類型的熱載流子,還詳細(xì)討論了N溝道和P溝道MOS器件熱載流子的產(chǎn)生和注入以及與器件工作在高柵壓、中柵壓和低柵壓三種應(yīng)力條件的關(guān)系。并且對(duì)界面陷阱和氧化層電荷的產(chǎn)生機(jī)制做進(jìn)一步研究。
　　 針對(duì)于從加工工藝上提高熱載流子注入效應(yīng),從改善柵氧化層內(nèi)的電荷和降低橫向電場兩個(gè)方面出發(fā),一是利用柵氧化工藝來提高柵氧化層的質(zhì)量,另一個(gè)是利用LDD工藝來降低橫向電