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文檔簡介
1、隨著集成電路的發(fā)展,金屬化布線寬度越來越細,銅布線代替鋁布線是集成電路布線納米尺度化的必然趨勢。大量銅合金濺射靶材中,高純銅錳合金因其特有的自形成擴散層的特性而受到關注。靶材的顯微組織與織構(gòu)是影響靶材濺射性能及濺射薄膜質(zhì)量的關鍵因素,探明高純銅錳合金退火過程中顯微組織和織構(gòu)演變規(guī)律對于提高高純銅錳合金濺射靶材的品質(zhì)有重要意義?;诖?,本文利用光學顯微鏡(OM)、掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、背散射電子衍射(EBSD)等
2、技術對不同軋制變形量和不同軋制方式的高純銅錳合金板材退火過程中顯微組織和織構(gòu)演變規(guī)律做了詳細研究,主要結(jié)論如下:
?、僭趩蜗蜍堉评滠堅嚇拥葴赝嘶饘嶒炛校?0%冷軋試樣在450℃等溫退火1h后完成再結(jié)晶,77%和95%冷軋試樣在450℃等溫退火0.5h后完成再結(jié)晶。再結(jié)晶完成后,50%冷軋試樣的再結(jié)晶晶粒尺寸最大,95%冷軋試樣再結(jié)晶晶粒尺寸最小。
?、谲堉谱冃瘟恳约败堉品绞綄υ俳Y(jié)晶晶粒中的孿晶界比存在明顯影響。單向軋制中
3、,孿晶界比在50%冷軋退火樣品中分布最高,為50%左右;在95%冷軋退火樣中分布最低,為30%左右。交叉軋制95%冷軋試樣退火后樣品內(nèi)的孿晶界比比單向軋制95%冷軋退火后的孿晶界比低。
?、蹎蜗蜍堉?0%和77%冷軋試樣等溫退火后仍有較強的黃銅織構(gòu),而單向軋制95%冷軋試樣等溫退火后主要是立方織構(gòu)和旋轉(zhuǎn)立方織構(gòu),黃銅織構(gòu)大大減弱。退火過程中,立方織構(gòu)和旋轉(zhuǎn)立方織構(gòu)都是優(yōu)先出現(xiàn)。
?、軉蜗蜍堉?5%冷軋試樣400℃退火1h
4、后基本完成再結(jié)晶,組織內(nèi)的立方織構(gòu)和旋轉(zhuǎn)立方織構(gòu)增強,brass-R1織構(gòu)出現(xiàn)。而交叉軋制95%試樣400℃退火1h后還存在大量的變形組織,在450℃退火1h后完成再結(jié)晶。相對于單向軋制,交叉軋制冷軋試樣完全再結(jié)晶需要更高的溫度或更長時間,這主要是源于交叉軋制弱化了位錯在界面的塞積。完成再結(jié)晶后,再結(jié)晶織構(gòu)中主要是立方織構(gòu)和旋轉(zhuǎn)立方織構(gòu)。相較于單向軋制試樣,交叉軋制試樣再結(jié)晶組織中的立方織構(gòu)和旋轉(zhuǎn)立方織構(gòu)更弱。
⑤不同軋制方式
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