退火工藝對(duì)高純鋁箔微觀組織及織構(gòu)影響的研究.pdf

1、高純鋁箔是制造高壓電解電容器陽極的主要箔材，具有高{001}<100>立方織構(gòu)含量和組織均勻的高純鋁箔，通過電化學(xué)腐蝕能在不改變電容器體積的情況下大大提高電容器比表面積，因此組織均勻性、立方織構(gòu)是影響電容器陽極鋁箔比電容的一個(gè)重要因素。高純鋁箔的實(shí)際生產(chǎn)中，在軋制變形工藝一定的情況下，主要通過退火工藝的控制，改善組織的均勻性，提高立方織構(gòu)含量。因此，研究退火工藝對(duì)高純鋁箔微觀組織和織構(gòu)的影響，弄清材料微觀組織和織構(gòu)的演變規(guī)律具有十分重要

2、的理論意義和實(shí)用價(jià)值。
　　本文以高純鋁箔為研究對(duì)象，在其軋制過程中，采用附加中間退火和不附加中間退火兩種路徑進(jìn)行工藝試驗(yàn)，研究了不同退火溫度、成品退火的加熱方式和加熱速度對(duì)高純鋁箔微觀組織及結(jié)構(gòu)的影響，運(yùn)用金相、X-射線衍射和電子背散射衍射等分析技術(shù)，系統(tǒng)地分析了不同退火工藝條件下高純鋁箔的再結(jié)晶形核和長大規(guī)律，晶粒大小和分布，晶粒取向，織構(gòu)的演變規(guī)律。研究結(jié)果表明：1、在高純鋁箔軋制過程中不附加中間退火，經(jīng)180℃/h隨爐升溫

3、和到溫入爐兩種方式加熱到500℃進(jìn)行成品退火的高純鋁箔均發(fā)生了完全再結(jié)晶，{001}<100>立方取向的晶粒優(yōu)先形核并生長，{001}<100>立方織構(gòu)是主要的織構(gòu)組分；2、利用到溫入爐加熱方式進(jìn)行成品退火的高純鋁箔產(chǎn)生了再結(jié)晶晶粒的異常長大現(xiàn)象，而隨爐升溫進(jìn)行退火的材料中晶粒尺寸比較細(xì)小且組織均勻性好；3、在高純鋁箔的軋制過程中，分別采用175℃和190℃進(jìn)行中間退火2h，在相同的成品退火工藝條件下，175℃的中間退火的材料組織更加均