磁場(chǎng)作用下橢圓量子環(huán)中施主雜質(zhì)及橢圓量子盤(pán)中電子的能態(tài)研究.pdf

1、本文在有效質(zhì)量近似下,利用數(shù)值對(duì)角化方法計(jì)算了橢圓量子環(huán)上單電子體系和施主雜質(zhì)體系的能態(tài)。計(jì)算結(jié)果表明,由于AB效應(yīng)在環(huán)內(nèi)的存在,單電子能態(tài)和施主雜質(zhì)能態(tài)隨磁場(chǎng)的增加出現(xiàn)振蕩,我們把這種振蕩稱為AB振蕩。單電子體系中,隨著橢圓量子環(huán)離心率的增加,環(huán)變的越來(lái)越扁,電子受到的空間束縛增強(qiáng),能量逐漸增大,振蕩周期也增大。施主雜質(zhì)體系中,電子除了受到磁場(chǎng)和空間束縛的影響,還受到庫(kù)侖勢(shì)的作用。磁場(chǎng)較弱時(shí),隨著離心率的增加,能量會(huì)逐漸降低,此時(shí)庫(kù)侖

2、勢(shì)占主導(dǎo)地位;而在磁場(chǎng)較強(qiáng)時(shí),隨著離心率的增加,能量會(huì)逐漸增加,此時(shí)磁場(chǎng)占主導(dǎo)地位。隨著環(huán)變的越來(lái)越扁,體系的波函數(shù)在環(huán)上的分布也越來(lái)越不均勻,需要增加磁場(chǎng)來(lái)滿足周期性邊界條件,振蕩周期增加。
　　本文還利用精確求解特殊函數(shù)和數(shù)值對(duì)角化兩種方法計(jì)算了橢圓量子盤(pán)上無(wú)限深勢(shì)阱中單電子的能態(tài),并對(duì)結(jié)果進(jìn)行分析,對(duì)兩種方法進(jìn)行了比較。兩種方法得到的結(jié)論是比較吻合的。橢圓盤(pán)上單電子體系能級(jí)由階數(shù)m和徑向波節(jié)數(shù)n兩個(gè)量子數(shù)來(lái)描述,量子數(shù)m和n