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文檔簡介
1、由于量子點內(nèi)部電子在各個方向上的運動都受到限制,量子局限效應特別顯著。它直接影響量子點的各種性質(zhì),如電子結構,輸運性質(zhì)及光學性質(zhì)等。電子態(tài)的計算是一個基本而且重要的問題,電子態(tài)是設計不同光電設備的基礎,它為低維物理的發(fā)展提供更為廣闊的前景。目前由于量子點生長技術的飛速發(fā)展,量子點電子結構的理論研究仍為當今的研究熱點。在近幾十年里,以寬帶隙Ⅲ—Ⅴ族氮化物GaN為基的量子點由于其在光學、光電子學領域的廣泛應用而受到了人們的普遍關注。
2、 本文應用平面波展開法對閃鋅礦結構的GaN/AlxGa1—xN量子點中的電子結構進行了研究,主要內(nèi)容如下: 1.系統(tǒng)地介紹了量子點的基本概念,綜述了量子點的基本性質(zhì)、制備方法及主要應用。簡單地闡述了目前研究量子點電子結構的主要理論方法,并對平面波展開法與變分法進行了比較。 2.計算了類氫施主雜質(zhì)態(tài)隨量子點半徑、Al組分的變化規(guī)律,并考慮到了量子點內(nèi)外電子有效質(zhì)量差異對雜質(zhì)態(tài)的修正。結果表明,在小量子點、大組分處,有效質(zhì)量
3、差異引起的對雜質(zhì)態(tài)的修正不能忽略。 3.討論了影響量子點施主雜質(zhì)結合能的多種因素。計算結果表明:量子點半徑、Al組分以及雜質(zhì)位置對結合能都有很大的影響,具體如下:雜質(zhì)結合能隨著量子點半徑的增大先增大后減小,存在一個最大值;隨著Al組分的增大,雜質(zhì)結合能逐漸增大。結合能關于量子點中心對稱,且雜質(zhì)位于量子點中心時,結合能取得最大值,越往邊界處越小。 4.為了研究外場對量子點結合能的影響,在量子點的生長方向加入電場。外電場使對
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