金等離子體平均電荷分布的第一原理方法和DTO的勢能函數(shù)與分子反應(yīng)動力學.pdf

1、四川大學博士學位論文金等離子體平均電荷分布的第一原理方法和DTO的勢能函數(shù)與分子反應(yīng)動力學姓名：朱志艷申請學位級別：博士專業(yè)：原子與分子物理指導教師：朱正和20040601四川人學博士學位論女一般ICF實驗中的電子溫度、電子密度和壓力的范圍，即電子溫度為4002000eV，電子密度為1018_1026cm3，壓力為10610atma研究結(jié)果表明:當電子溫度一定，Au4Au52離子間的電離復(fù)合過程同時達到平衡時，A礦sAuaAu“Au“和

2、Au52離子的相對分布依次減小.隨體系電子溫度的升高，等離子體內(nèi)的電離與復(fù)合平衡右移。電子密度和系統(tǒng)內(nèi)壓力的增加，均導致平衡左移。因此，在等離子體的高溫低密區(qū)，電離為主要過程，而在低溫高密區(qū)，復(fù)合過程起主要作用。在指定時刻，電荷態(tài)分布在Au“與Au50離子之間出現(xiàn)峰值，平均電離度為48.750.2，與美國LawrenceLivermore實驗室的實驗與理論模擬結(jié)果49.310.5和50.5符合較好。當電子密度一定時，隨體系電子溫度的升高

3、，分布的峰值右移，平均電離度增加.當電子溫度一定時，在高密低溫區(qū)，電荷態(tài)分布隨電子密度的變化很敏感，電子密度升高，低電離態(tài)離子的分布迅速增加，平均電離度減小，而在低密高溫區(qū)，分布幾乎不隨電子密度的變化而變化。第二部分DTO的勢能函數(shù)與分子反應(yīng)動力學采用量子力學中密度泛函(DFT)B3P86方法，應(yīng)用Gaussian98W程序，對基態(tài)DTO的分析勢能函數(shù)進行計算。根據(jù)勢能函數(shù)研究DOTTOD和ODT體系的準經(jīng)典分子反應(yīng)動力學過程。計算了D

4、TO分子的幾何和力學性質(zhì)。從原子分子反應(yīng)靜力學和群論出發(fā)，根據(jù)分子電子狀態(tài)構(gòu)造原理和微觀過程的可逆性原理，導出了ODOTDT和DTO分子的合理離解極限.由ODOT和DT分子的光譜數(shù)據(jù)，用逆向反演法得到了ODOT和DT分子的基態(tài)以及OD和OT分子第一激發(fā)態(tài)的力常量與MurrellSorbie勢能函數(shù)的解析表達式，其中對OT分子的光譜數(shù)據(jù)，由同位素效應(yīng)近似計算獲得。應(yīng)用多體項展式理論以及從頭計算得到的三原子分子的幾何結(jié)構(gòu)和力學性質(zhì)，研究得到