等離子體刻蝕的動力學(xué)模型及三維模擬.pdf

1、等離子體刻蝕技術(shù)被廣泛應(yīng)用于IC制造和MEMS加工中，是目前較為主流的刻蝕技術(shù)手段之一。開發(fā)等離子體刻蝕的模擬軟件可以大大降低IC與MEMS器件的設(shè)計與研制成本，縮短研發(fā)周期;同時通過改變模擬的刻蝕條件，如離子能量，角度分布等，得到不同的模擬結(jié)果，以此來選擇最佳工藝條件。
　　等離子體刻蝕是在等離子體中發(fā)生的，大量帶電粒子受垂直于硅片表面的電場加速，垂直入射到硅片表面上，以較大的動量進行物理刻蝕，同時它們還與薄膜表面發(fā)生強烈的化學(xué)

2、反應(yīng)，生成可揮發(fā)產(chǎn)物，被真空系統(tǒng)抽走。隨著材料表層的“反應(yīng)-剝離-排放”的周期循環(huán)，材料被逐層刻蝕到指定深度。基于分子動力學(xué)的刻蝕模型通過離子/中性粒子流量，離子能量和角分布等參數(shù)來計算刻蝕/淀積速率，表面覆蓋等需要的結(jié)果。
　　本文的工作以已有的混合層動力學(xué)模型為基礎(chǔ)，針對等離子體刻蝕的工藝模擬展開研究。主要研究工作如下:
　　1.用數(shù)值分析方法求出了混合層動力學(xué)模型的數(shù)值解，并將其耦合到三維元胞算法中。
　　2.模