2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、本文利用分子動(dòng)力學(xué)模擬方法采用Tersoff-Brenner函數(shù)研究了含氟等離子體（F原子、SiF分子和Ar++F）與SiC的相互作用機(jī)制。研究結(jié)果表明入射F原子的能量、入射角度、樣品溫度以及樣品最表層原子的種類均對(duì)刻蝕過(guò)程產(chǎn)生重要影響。F原子在表面的沉積量隨著入射能量的增加而增加，隨著樣品溫度、入射角度的增加而減小。Si和C原子的刻蝕量隨入射能量、樣品溫度的增加而增加。而入射角度對(duì)刻蝕量的影響并不明顯。Si和C的主要刻蝕機(jī)制為化學(xué)刻蝕

2、和化學(xué)增強(qiáng)的物理刻蝕，主要的含Si產(chǎn)物為SiF3和SiF4。將最表層原子種類的影響考慮后發(fā)現(xiàn)，在0.5eV的入射能量下、樣品溫度為1500K時(shí)，表層是C原子的SiC樣品發(fā)生了C原子的刻蝕而未發(fā)生Si原子的刻蝕。除此以外的其他所有條件下均發(fā)現(xiàn)Si原子比C原子易于刻蝕，這與多人的實(shí)驗(yàn)結(jié)果是相吻合的。Ar+轟擊富氟和富碳兩種表面的結(jié)果表明，樣品表面的C和F原子的含量對(duì)樣品中Si原子的刻蝕有著很大的影響。表層過(guò)多的C原子將會(huì)阻礙Si的繼續(xù)刻蝕。

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