低維ZnO納米材料的合成及其器件研究.pdf

1、ZnO納米材料在光電方面的諸多優(yōu)點(diǎn),加之其制備方法多樣,在表面聲學(xué)波器件、壓敏和氣敏傳感器、太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管等領(lǐng)域的應(yīng)用潛力巨大。本論文針對(duì)ZnO納米材料中研究應(yīng)用最多的兩類(lèi)材料:ZnO納米顆粒、ZnO納米線,分別進(jìn)行了材料合成分析,已經(jīng)器件應(yīng)用研究。主要包括:
　　(1)通過(guò)水熱法合成三種不同形貌ZnO納米顆粒,通過(guò)簡(jiǎn)單制膜方法制備成了在PDMS柔性襯底上的紫外光探測(cè)器件。對(duì)器件性能進(jìn)行測(cè)試和分析后,根據(jù)ZnO對(duì)紫外光響應(yīng)

2、機(jī)制的研究,選取RGO作為修飾材料,對(duì)ZnO進(jìn)行修飾。通過(guò)研究不同質(zhì)量比RGO與ZnO復(fù)合發(fā)現(xiàn),RGO在與ZnO復(fù)合過(guò)程中形成一定化學(xué)鍵能并能快速導(dǎo)走ZnO光激發(fā)形成的電荷。獲得了性能最為優(yōu)越的質(zhì)量比為0.05％RGO/ZnO復(fù)合材料紫外光探測(cè)器件。
　　(2)通過(guò)兩步CVD法合成了ZnO/ZnSxSe1-x核殼結(jié)構(gòu)材料,用作光陽(yáng)極材料進(jìn)行了PEC測(cè)試發(fā)現(xiàn),核殼結(jié)構(gòu)對(duì)光的響應(yīng)尤其是可見(jiàn)光響應(yīng)有了極大提高。進(jìn)一步利用三步CVD方法合