低維鈷摻雜ZnO納米材料結(jié)構(gòu)和發(fā)光性質(zhì)的研究.pdf

1、ZnO作為一種性能優(yōu)良的Ⅱ-Ⅳ族半導(dǎo)體材料，室溫下寬禁帶，高束縛能的性質(zhì)使其在發(fā)光器件，太陽能電池、傳感器等方面表現(xiàn)出了廣泛的應(yīng)用前景，成為了替代GaN、ZnSe的最佳材料，引起了人們廣泛的關(guān)注。
　　本論文以微乳液方法合成了Co摻雜濃度為10％ZnO納米材料，并借助透射電子顯微鏡(TEM)、X射線衍射儀(XRD)、拉曼光譜儀(RKman)對合成納米材料的微觀形貌、晶格結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征，并把表征結(jié)果與體相ZnO材料的表征結(jié)果進(jìn)行對比

2、，分析產(chǎn)生這些差異的原因。在室溫條件下，利用光致發(fā)光光譜的實(shí)驗(yàn)裝置，通過調(diào)節(jié)He-Cd激光器的激發(fā)光密度，獲取Co摻雜ZnO納米材料光致發(fā)光光譜隨激發(fā)光密度的變化情況，并將其與體相ZnO材料的進(jìn)行對比，討論二者發(fā)光性質(zhì)的差異，并分析產(chǎn)生這一差異的原因。
　　基于分形理論，編制了以像素點(diǎn)覆蓋法計(jì)算分形圖形分形維數(shù)的算法步驟，并利用matlab軟件編程，使得這個算法方法得到實(shí)現(xiàn)?；诜中魏瘮?shù)方程，編制自定義維數(shù)的分形函數(shù)模擬圖，驗(yàn)證所