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文檔簡介
1、近年來，氧化鋅(ZnO)因其獨有的優(yōu)越性能，和在許多領(lǐng)域應(yīng)用的巨大潛力而備受關(guān)注。然而，高性能又穩(wěn)定可靠的p型ZnO一直沒能實現(xiàn)，這嚴重阻礙了ZnO基光電器件的發(fā)展。Ⅰ族元素中的Na在ZnO中存在較淺的受主能級，利用Na摻雜可實現(xiàn)p型ZnO，但其穩(wěn)定性仍有待提高，其摻雜機理也有待深入研究。本文主要用發(fā)光光譜研究Na在ZnO中的行為，為了創(chuàng)造有參考意義的環(huán)境，減少背景缺陷的干擾，選用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)方法生長的ZnO納米棒
2、和ZnO體單晶兩種高質(zhì)量ZnO進行Na摻雜，主要研究內(nèi)容包括以下兩個方面:
1.通過MOCVD法成功地生長了Na摻雜的ZnO納米棒陣列。光致發(fā)光(PL)分析發(fā)現(xiàn)，不同于未摻雜的ZnO納米棒，在Na摻雜的納米棒中低溫PL譜中主導發(fā)光的是離化施主束縛激子(D+X)，表明Na在其中作為受主與施主發(fā)生了高度補償，結(jié)合XPS價帶譜中觀察到費米能級向價帶的移動，證明了Na的受主行為。
2.成功地對c面(0001)和a面(1120
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