2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩49頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、氧化鋅(ZnO)是寬禁帶半導(dǎo)體材料,室溫下的禁帶寬度為3.37eV,具有相對高的激子束縛能60mev,這使得ZnO納米材料成為下一代短波長光電器件的最理想候選材料之一,尤其是在藍(lán)紫光發(fā)光二極管(LEDs)和激光器(LDs)等領(lǐng)域中有極好的應(yīng)用前景和開發(fā)價值。然而,為了實現(xiàn)ZnO基納米光電器件的應(yīng)用,首先制備出性能良好的n型和p型ZnO納米材料是必不可少的,由于ZnO是本征的n型半導(dǎo)體材料,很容易獲得高質(zhì)量的n型ZnO納米材料,所以如何獲

2、得p型ZnO納米材料就成為了國內(nèi)外研究的熱點。
   本文針對ZnO研究領(lǐng)域的熱點和難點,利用簡單的化學(xué)氣相沉積技術(shù)成功的制備出高質(zhì)量的n-ZnO納米線和p-ZnO納米線,并在此基礎(chǔ)上進行了p-ZnO納米線/n-ZnO納米線/n-Si結(jié)構(gòu)的同質(zhì)LED器件的制備及其光電性質(zhì)的研究。取得的主要結(jié)果如下:
   (1)采用化學(xué)氣相沉積法(CVD),在不使用任何金屬催化劑的條件下,在低阻n-Si(111)襯底上成功制備出不同磷含

3、量的ZnO納米線。通過X射線衍射(XRD)和場發(fā)射的掃描電鏡(FE-SEM)觀察表明,隨著磷含量的增加,ZnO納米線的晶體結(jié)構(gòu)和取向性都開始變差并且納米線頂端會變的更加尖銳。此外,在低溫(20K)光致發(fā)光(PL)光譜中還觀測到了與磷元素相關(guān)的中性受主束縛激子發(fā)光峰(A0X),該發(fā)光峰的強度會隨著磷含量增加而變強,證實了磷元素作為受主摻雜進入ZnO晶格中。
   (2)利用化學(xué)氣相沉積技術(shù)(CVD),成功在低阻n-Si(111)襯

4、底上制備出p-ZnO納米線/n-ZnO納米線/n-Si結(jié)構(gòu)的同質(zhì)LED器件。通過X射線衍射(XRD)、場發(fā)射的掃描電鏡(FE-SEM)和低溫(20K)PL對未摻雜和磷摻雜的ZnO納米線進行了晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌和光學(xué)性質(zhì)的測試。此外,對于ZnO納米線同質(zhì)LED器件,通過測試該器件表現(xiàn)出良好的整流特性,并且在40mA的電致發(fā)光譜中,呈現(xiàn)出兩個發(fā)光峰,一個是位于3.18eV的紫外發(fā)光峰,另一個是位于2.39eV可見發(fā)光峰。結(jié)果證實了磷摻雜Zn

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論