2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、ZnO作為一種重要的直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體材料,室溫下禁帶寬度為3.37eV,具有大的激子束縛能(60meV),高的機(jī)電耦合系數(shù),以及惡劣條件下的高穩(wěn)定性。不摻雜的ZnO從本質(zhì)上來(lái)說(shuō)是N型的半導(dǎo)體,可是通過(guò)摻雜獲得P型的ZnO納米結(jié)構(gòu)是非常困難的。本論文針對(duì)P型ZnO納米材料的研究熱點(diǎn)和難點(diǎn),利用簡(jiǎn)單的化學(xué)氣相沉積方法制備出了高質(zhì)量的磷摻雜一維ZnO納米材料,并研究其生長(zhǎng)機(jī)理和光致發(fā)光等特性。取得的主要結(jié)果如下:
　　 (1)采用

2、化學(xué)氣相沉積方法,在未使用任何催化劑的條件下,在硅(111)襯底上制備出了高質(zhì)量的磷摻雜ZnO納米梳。通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)觀察到磷摻雜ZnO納米梳的長(zhǎng)度和直徑分別是8μm和70nm。此外,在能量色散譜(EDS)中還觀測(cè)到了磷元素的存在,在低溫(11K)的光致發(fā)光譜中還觀測(cè)到了與磷摻雜相關(guān)的A0X、FA和DAP,因此證實(shí)磷元素作為受主摻雜進(jìn)入ZnO晶格,此外經(jīng)過(guò)計(jì)算得到磷在ZnO中的電離能約為127meV。
　　 (2)采

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