Ga摻雜ZnO薄膜與納米結構材料的制備及其光電性能.pdf

1、氧化鋅是一種寬禁帶n型半導體材料，激子束縛能比較大，具有良好的導電性能和優(yōu)良的光電特性。研究發(fā)現(xiàn)，摻雜可以進一步提高氧化鋅材料的光學、電學性能，使其在光電器件領域具有更廣泛的應用。本文采用溶膠-凝膠法在石英片上制備鎵摻雜氧化鋅薄膜，將其作為種子層進一步用高聚物輔助化學水溶液法合成鎵摻雜氧化鋅半導體材料，研究了產物的形貌、結構、光學性能以及光電流變化。
　　本研究主要內容包括：⑴利用溶膠凝膠法制備出Ga摻雜ZnO薄膜，對薄膜的形貌、

2、結構、熒光性能和光學透過率進行了測試，研究了不同退火溫度對鎵摻雜氧化鋅薄膜的結構和光學性能的影響。結果表明：當其他條件相同時，退火溫度會影響薄膜的結晶質量、形貌以及光學性能。⑵通過低溫化學水溶液法用PEG400輔助劑在Ga摻雜ZnO種子層上制備Ga摻雜ZnO納米結構。樣品的結構和光學性能會隨合成溫度從50℃到80℃升高而發(fā)生改變。在相對低溫下制備出納米片結構，而在相對高溫下則制備出納米柱結構。在60℃合成的具有優(yōu)質納米片形貌的樣品和其他