CuO-ZnO納米材料的制備及性能研究.pdf

1、隨著納米材料技術(shù)的發(fā)展,各種各樣的納米結(jié)構(gòu)材料被制備出來。目前,研究的熱點(diǎn)已經(jīng)轉(zhuǎn)向人工組裝納米材料及設(shè)計(jì)相關(guān)的納米器件。而一維納米材料因?yàn)槠洫?dú)特的物理化學(xué)性質(zhì),成為其中研究的熱點(diǎn)。 1.用熱蒸發(fā)的方法在300℃、400℃、500℃、600℃、700℃、800℃下直接在銅片表面生長氧化銅納米線,然后使用XRD、SEM、TEM、HRTEM對(duì)氧化銅納米線進(jìn)行結(jié)構(gòu)和形貌分析。結(jié)果表明,反應(yīng)溫度在500℃～600℃間的氧化銅納米線形貌較好

2、。然后測試450℃下不同生長時(shí)間的氧化銅納米線的場致電子發(fā)射性能。結(jié)果與理想的場發(fā)射情況不同,本文認(rèn)為是因?yàn)樵谘趸~納米線和導(dǎo)電襯底間存在氧化亞銅薄膜引起的。 2.利用氣相沉積法,使鋅在低氧氣氛下生長出一種高缺陷的氧化鋅晶體,通過XRD,TEM對(duì)產(chǎn)物進(jìn)行表征。隨后將氧化鋅晶體在氧氣中,分別在800℃、900℃、1000℃下退火1小時(shí),對(duì)氧化鋅晶體做表面修飾。PL光譜實(shí)驗(yàn)和光催化降解實(shí)驗(yàn)表明氧化鋅晶體的氧空位、表面態(tài)和光催化活性間