低維半導(dǎo)體納米材料的合成及其光解水性能的研究.pdf

1、納米半導(dǎo)體材料自從進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，再次成為了研究熱點(diǎn)，低維半導(dǎo)體納米材料，特別是半導(dǎo)體納米線等，在某些研究領(lǐng)域已經(jīng)取得了重大進(jìn)展。納米半導(dǎo)體材料有獨(dú)特的光、聲、電、熱性能，在多個(gè)領(lǐng)域有潛在應(yīng)用價(jià)值。
　　在本學(xué)位論文中，我們選取了多種半導(dǎo)體納米材料，分別考察了他們的合成，生長(zhǎng)機(jī)理和光解水性能，并期望通過(guò)我們的研究能夠?yàn)槲磥?lái)半導(dǎo)體納米材料的研究提供一些借鑒。
　　在本文的第二章中我們以氯化鎘，硫或者硒單質(zhì)為前驅(qū)體，采用化學(xué)氣

2、相沉積法合成了包括納米線、納米帶在內(nèi)的具有多種形貌的硫化鎘硒化鎘半導(dǎo)體納米材料，并對(duì)其進(jìn)行了形貌和結(jié)構(gòu)的表征。通過(guò)暗場(chǎng)透射電鏡和雙束透射電鏡的表征，我們發(fā)現(xiàn)了螺旋位錯(cuò)在硫化鎘硒化鎘納米線中的存在，并推測(cè)螺旋位錯(cuò)在硫化鎘硒化鎘納米線的生長(zhǎng)中起到了重要的作用。
　　在本文的第三章中我們發(fā)展了一種新的合成硫硒化鎘樹枝狀納米線方法，以氯化鎘、硫、硒單質(zhì)為前驅(qū)體，采用化學(xué)氣相沉積法在硅片上沉積得到了硫硒化鎘的樹枝狀納米線。結(jié)構(gòu)表征表明該樹枝

3、狀納米線為完整無(wú)缺陷的單晶結(jié)構(gòu)，并且通過(guò)改變前驅(qū)體中硫和硒的比例，我們可以精確調(diào)控該樹枝狀納米線的光致發(fā)光光譜。
　　在本文的第三章中我們借鑒了前人水熱合成二氧化鈦納米線的方法，通過(guò)調(diào)控生長(zhǎng)時(shí)間、酸度等因素篩選出了最佳的生長(zhǎng)條件來(lái)合成二氧化鈦納米線陣列并將其應(yīng)用到太陽(yáng)光分解水中。此外在反應(yīng)前驅(qū)體中加入四氯化錫進(jìn)行反應(yīng)，得到了錫摻雜的二氧化鈦納米線陣列。我們對(duì)這兩種納米線陣列的光解水性能進(jìn)行了詳細(xì)的考察，發(fā)現(xiàn)摻錫氧化鈦性能的提高是由