基于六西格瑪?shù)碾娮臃庋b內(nèi)電容橋接問題研究.pdf

1、消費電子包括手機(jī),平板電腦等移動設(shè)備在近幾年得到爆發(fā)式增長，這導(dǎo)致消費電子產(chǎn)品對電子封裝的需求越來越大。為了滿足更多需求，需要不斷開發(fā)各種高級封裝產(chǎn)品。并且隨著硅片拋光的技術(shù)更加成熟，目前已經(jīng)能夠封裝相比過去多幾倍的芯片數(shù)量。因此需要采用更多高性能的芯片并且盡可能地封裝更多的芯片來滿足客戶的需求,這導(dǎo)致了電子封裝成本越來越高并且對電子封裝的可靠性提出更加高的挑戰(zhàn)。在增加電子封裝的芯片數(shù)量和提高性能的同時，克服任何此類電子封裝內(nèi)的失效問題

2、就成為了質(zhì)量管理中的首要任務(wù)。
　　本文首要介紹了電子封裝的現(xiàn)狀和流程，包括發(fā)生問題的電容功能和電子封裝組成。此失效是重復(fù)發(fā)生但是具有極低不良率，使用一般分析方法無法確認(rèn)任何流程是否存在異常。為了確認(rèn)問題發(fā)生的失效模式通過失效分析包括電性分析、切片分析和元素分析等手段，確認(rèn)是在回流爐條件下導(dǎo)致電容兩端焊錫橋接引起的短路不良。采用了基于六西格瑪?shù)姆治龇椒▉硌芯窟@種極低不良率問題。首先通過測量系統(tǒng)分析，材料分析方法來確認(rèn)生產(chǎn)過程和封裝

3、材料參數(shù)是否存在異常。再根據(jù)魚骨圖分析法推測焊錫量為重要的影響因子，然后通過抽樣對比不同批次封裝內(nèi)電容焊錫切片來比較焊錫尺寸確認(rèn)推測：不良批次焊錫高度要比沒有不良的批次要高出很多。通過有限元軟件模擬焊錫應(yīng)力分布發(fā)現(xiàn)不同焊錫形狀也會促使電容發(fā)生焊錫橋接。進(jìn)行全因子試驗分析來比較不同焊錫條件下產(chǎn)生不良的數(shù)量，最終確認(rèn)電容焊錫量偏大是導(dǎo)致這次不良產(chǎn)生的主要原因。改善措施和控制措施也圍繞減少焊錫量和改善焊錫形成形狀來進(jìn)行。最后加強(qiáng)廠內(nèi)在線質(zhì)量檢