版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、氧化銦錫(ITO)薄膜被廣泛應(yīng)用在平板顯示器及其他的元器件上。ITO薄膜主要是通過(guò)使用ITO靶材利用磁控濺射法制備得到?;诖?,具備優(yōu)異性能ITO靶材的制備是具有重要意義的。本文對(duì)ITO的結(jié)構(gòu),ITO薄膜、ITO靶材及ITO粉體的制備方法進(jìn)行了綜述;研究了溶劑熱法制備ITO粉體及其電性能;研究了ITO粉體對(duì)ITO靶材燒結(jié)的影響;對(duì)ITO靶材燒結(jié)制備工藝進(jìn)行了優(yōu)化;研究了燒結(jié)助劑Sb2O3對(duì)ITO靶材的影響;研究了二元燒結(jié)助劑Bi2O3和
2、Sb2O3對(duì)ITO靶材的影響。
得到結(jié)論:使用乙二醇與乙醇作溶劑,且其比例為4∶1時(shí)制備出粒徑為10.7nm、分散性良好的立方狀I(lǐng)TO納米粉體,且其I(400)/I(222)最高值為0.380;溶劑熱法制備的ITO粉體燒結(jié)的ITO靶材相對(duì)密度隨ITO納米粉體粒徑增加而下降,當(dāng)ITO納米粉體平均粒徑為10.7nm時(shí),燒結(jié)后制備得到的ITO靶材相對(duì)密度最高為99.25%,微觀結(jié)構(gòu)致密,氣孔較少;ITO靶材最佳制備工藝為添加1.5%
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 微波燒結(jié)ITO靶材研究.pdf
- ITO靶材的制備及其性能研究.pdf
- 利用ITO靶材回收制備金屬銦.pdf
- Ga摻雜ZnO陶瓷靶材燒結(jié)制備工藝研究.pdf
- 銦錫氧化物(ITO)粉體及高性能ITO靶材的制備與研究.pdf
- Ti3AlC2的制備及其燒結(jié)機(jī)理研究.pdf
- SPS制備石墨-銅導(dǎo)電材料燒結(jié)機(jī)理及微觀界面特征的研究.pdf
- 工程塑料粉末激光燒結(jié)機(jī)理及工藝研究.pdf
- 納米和亞微米氧化鈦陶瓷燒結(jié)曲線及燒結(jié)機(jī)理研究.pdf
- 赤泥質(zhì)環(huán)保型建筑陶瓷的制備及燒結(jié)機(jī)理的研究.pdf
- 燒結(jié)機(jī)焙燒酸性球團(tuán)礦固結(jié)機(jī)理研究.pdf
- 新型赤泥、黃河泥沙基燒結(jié)磚的制備及其性能和燒結(jié)機(jī)理的研究.pdf
- ITO靶材熱等靜壓致密化工藝與理論.pdf
- ITO透明導(dǎo)電薄膜制備工藝及機(jī)理的研究.pdf
- 陶瓷基嬗變靶材的制備及性能研究.pdf
- 磷酸鈣陶瓷骨支架的激光燒結(jié)機(jī)理及工藝研究.pdf
- 陶瓷材料脈沖電流燒結(jié)機(jī)理的研究.pdf
- 北京冶科60噸ito靶材科環(huán)評(píng)公示
- ITO、AZO靶材用納米粉體的制備與Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體合金薄膜的生長(zhǎng)研究.pdf
- 導(dǎo)電CIGS靶材的制備研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論