版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、分立器件焊線材料主要是金線和銅線,由于銅線成本低、導(dǎo)電性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn),越來越多的封裝廠傾向于銅線焊接工藝。但銅線本身硬度大,并且容易氧化,在鍵合過程中如果控制不當(dāng)很容易出現(xiàn)彈坑。由于分立器件功能簡(jiǎn)單,技術(shù)門檻低,市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)越來越激烈,芯片的鋁層厚度越做越薄。目前的行業(yè)水平基本針對(duì)厚鋁層芯片(4μm)焊接的研究,許多規(guī)模較小的分立器件封裝廠對(duì)薄鋁層芯片(<2μm)焊接的研究還存在許多困難。本文主要研究和分析了參數(shù)設(shè)計(jì)方法和品質(zhì)管控范圍兩方面,為
2、分立器件封裝廠提供薄鋁層芯片焊接工藝研究的思路。
本文從3個(gè)方面對(duì)薄鋁層芯片焊接的彈坑問題研究和分析:
1、詳細(xì)討論介紹了銅線焊接的材料、設(shè)備工裝的機(jī)構(gòu)和原理、EFO(electronic flame-off)燒球過程、焊接動(dòng)作的8個(gè)分解步驟以及彈坑失效的氫氧化鈉檢查方法;
2、通過對(duì)焊線過程3個(gè)階段的研究,發(fā)現(xiàn)了初始力、接觸力和鍵合力之間的相互關(guān)系。三個(gè)階段的力設(shè)定原則為從大到小,這樣可以將對(duì)硅層的損傷平
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 薄倍增層APD噪聲特性及半導(dǎo)體材料輸運(yùn)特性的研究.pdf
- 半導(dǎo)體方程中的若干問題.pdf
- 半導(dǎo)體光刻中晶圓缺陷問題的研究.pdf
- 半導(dǎo)體光刻中晶圓缺陷問題的研究
- 半導(dǎo)體銅布線阻擋層技術(shù)的研究.pdf
- 半導(dǎo)體焊線工藝質(zhì)量控制和改進(jìn)的研究.pdf
- DCVD HDP工藝在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用和改善.pdf
- 基于陶瓷焊接的半導(dǎo)體激光光束特性研究.pdf
- 半導(dǎo)體器件測(cè)試逃逸問題研究.pdf
- 半導(dǎo)體激光器芯片減薄、拋光工藝研究.pdf
- 改善大功率半導(dǎo)體激光陣列光束質(zhì)量的研究.pdf
- 銅線鍵合中金屬焊盤鍵合深度研究.pdf
- 科信半導(dǎo)體焊接設(shè)備系列
- 改善門蓋線引出焊焊接質(zhì)量方法研究
- 中強(qiáng)可焊鋁鎂鈧合金板材制備及焊接性能研究.pdf
- 有關(guān)半導(dǎo)體氧化層可靠性研究.pdf
- 光纖相干耦合改善半導(dǎo)體激光陣列光束質(zhì)量的研究.pdf
- 半導(dǎo)體化納米鋁及鋁合金薄膜霍爾效應(yīng)的研究.pdf
- 半導(dǎo)體器件測(cè)試逃逸問題研究
- 半導(dǎo)體激光器改善峰值激射波長(zhǎng)的研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論