有關(guān)半導(dǎo)體氧化層可靠性研究.pdf

1、從世界上第一塊集成電路的誕生到現(xiàn)在，有關(guān)IC可靠性的研究始終貫穿于集成電路版圖設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造以及生產(chǎn)的全過程。近年來，集成電路技術(shù)的發(fā)展可謂日新月異，隨著器件特征尺寸不斷縮小，電路的集成度和性能不斷提高，而可靠性方面的挑戰(zhàn)也不斷增多。氧化層的擊穿現(xiàn)象是影響半導(dǎo)體可靠性的主要問題之一。在半導(dǎo)體工藝中，氧化工藝流程貫穿于整個(gè)集成電路制造的前后段，對(duì)于高質(zhì)量氧化層的制造一般采取干氧制造工藝，比如：柵極氧化層；對(duì)于一般質(zhì)量的氧化層的制造通常采

2、取濕氧制造工藝，比如：ILD，IMD。由于氧化層的失效會(huì)導(dǎo)致器件失效，所以研究氧化層的制造工藝，了解如何從工藝制程過程預(yù)防氧化層的缺陷對(duì)提高微電子制造技術(shù)水平有積極意義，并且具有工業(yè)應(yīng)用價(jià)值。
　　 本論文系統(tǒng)地研究了氧化層的制造工藝，以及在工藝過程中如何提高氧化層的質(zhì)量。另外，詳細(xì)論述了目前常用于偵測氧化層可靠性的兩種測試方法，它們的適用范圍、優(yōu)缺點(diǎn)等。此外，還對(duì)這些測試方法的物理模型和失效機(jī)制進(jìn)行了透徹的分析。