2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、 上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文 臺階覆蓋工藝中 0.6µm 接觸孔刻蝕形貌對ALSICU 的填充效果的影響 碩 士 研 究 生：高菁如 學(xué) 號：1082102038 導(dǎo) 師：朱亦鳴副教授 副 導(dǎo) 師：黃建秋 申 請 學(xué) 位：工程碩士 學(xué) 科：集成電路 所 在 單 位：微電子學(xué)院 答 辯 日 期：2010 年 6 月 授予學(xué)位單位：上海交通大學(xué) 上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文 I 臺階覆蓋工藝中 0.6µm 接觸孔刻

2、蝕形貌對 ALSICU 的填充效果的影響 摘 要 本論文基于硅基 CMOS 工藝中直徑為 0.6µm， 高寬比大于 1 的接觸孔，研究其形貌與金屬填充（物理濺射工藝）效果的關(guān)系，并得出最優(yōu)填充效果下的接觸孔形貌。在各向同性和各向異性刻蝕菜單建立的過程中研究了相關(guān)工藝參數(shù)對于刻蝕形貌的影響，并確立了基準(zhǔn)接觸孔形貌（各向同性與各向異性刻蝕比例為 1:1 的酒杯形貌） 。為了解決各向同性與各向異性部分的銜接尖角嚴(yán)重降低金屬臺階覆蓋率

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