版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、目 錄摘 要..................................................1A B S T R A C l - ?????........?????....??..2第一章前言..............................................3§1 .1 課題背景一半導(dǎo)體制造業(yè)的發(fā)展??????????????.3§1 .2 研究目的一開發(fā)并優(yōu)化新工藝的
2、意義????????????.5§1 .3 論文結(jié)構(gòu)?????????????????????????6第二章干法刻蝕回顧......................................7§2 .1 干法刻蝕原理??????????????????????.7§2 .2 側(cè)壁( S p a c e r ) 在工藝流程中的作用????????????.1 5第三章半導(dǎo)體中實(shí)驗設(shè)計( D O E )
3、 方法???????.1 6§3 .1 實(shí)驗設(shè)計( D O E ) 的原理和方法??????????????..1 6§3 .2 實(shí)驗檢測工具和分析工具?????????????????1 6第四章O .1 8 微米側(cè)壁( S p a c e r ) 刻蝕工藝的開發(fā)和優(yōu)化.??..1 9§4 .1 O .1 8 微米側(cè)壁( S p a c e r ) 工藝概述??????????????1 9§4
4、 .2 0 .1 8 微米側(cè)壁( S p a c e r ) 現(xiàn)有工藝存在的問題????????.1 9§4 .3 在D P SP l u s 設(shè)備上的工藝優(yōu)化???????????????..2 2§4 .3 .1 使用新工藝氣體S F 6 進(jìn)行工藝開發(fā)??????????.2 2§4 .3 .2 改變硅片背面氦氣壓力進(jìn)行工藝優(yōu)化?????????~3 8§4 .3 .3 改變工藝氣體C F 4
5、 的組成進(jìn)行工藝優(yōu)化????????..4 2第五章結(jié)論????????????.??..6 3參考文獻(xiàn)????????????????6 6致謝?????????????????6 7A b s t r a c tT h i st h e s i sm a i n l yf o c u s e so nt h ed e v e l o p m e n to fa r ee t c h i n g p r o c e s sf o r0
6、 .1 8 u r nS p a c e r .I m p r o v i n gp r e v i o u s d r ye t c h i n gp r o c e s s ,w e s u c c e s s f u l l yd e v e l o p e dn e w e t c hp r o c e s s b y t a k i n gu s e o fo u r c o m p a n y ’S c u r r e n
7、tm a c h i n e s a n d l o c a l r e s o u r c e ·A c c o r d i n gt o 0 .18 u mS p a c e re t c h h a v es m a l lf o o ti nd e n s el i n e ,w ed i s c o v e r e ds o m e p r o b l e m s b a s i n g O l l e x i s
8、t i n g m a c h i n e sa n d p r o c e s st e c h n o l o g y .T h e m a i np r o b l e m sa l et h el o wE t c hR a t eS e l e c t i v i t yc a u s i n gO v e r e t c ho nt h et o pO x i d eo fG a t e a n dt h e l o w E
9、 t c h R a t eU n i f o r m i t y c a u s i n gS p a c e r p r o f i l e t a p e r e d a n d C D s m a l l e r .S o w e d oi m p r o v e m e n t m a i n l y i nt h r e e a p p r o a c h e sa sf o l l o w s ·F i r s
10、t l y , w e u s e D P S p l u s t o o li n s t e a do f D P S t o o l i no r d e r t o i n c r e a s en e w e t c h i n gg a sS F 6 .A f t e r w a r d s w ei m p r o v eE t c h R a t eS e l e c t i v i t y , U n i f o r
11、m i t y a n da l s oi m p r o v ep r o f i l e ,C D o fS p a c e r ' b u t o n t h eG a t e ,s o m e N i t r i d e r e m a i n e d ·S e c o n d l y , w e c h a n g e d b a c ks i d eh e l i u mp r e s s u r et o
12、i m p r o v eE t c hR a t eU n i f o r m i t y .F u n h e n n o r cw eo b s e r v e d t h et h i c k n e s so fO x i d er e m a i n e d ,b u to nt h eG a t e ,s o m eN i t r i d e s t i l lr e m a i n e d .F i n a l l y
13、, b ya d j u s tt h e g a s f l o w r a t i o o fC F 4 a n d C H F 3 ,w ed e v e l o p e d s o m e n e w e t c hr e c i p e sw h i c hh a sh i g hE t c hR a t eU n i f o r m i t ya n dS e l e c t i v i t yo fO x i d et o
14、N i t r i d eS Ot h a tn oN i t r i d e r e m a i n e d o nt h eG a t e .F r o md e s i g no fe x p e r i m e n t ( D O E ) d a t a ’w eg o tt h ep r o c e s s b o u n d a r yf o rt h eS p a c e r e t c ho nD P S p l u s
15、 .W ed i d e l e c t r i c a lt e s t sa n dt h er e s u i t sc o n f i r m e dt h a tt h en e w p r o c e s s d e v e l o p e di nt h i st h e s i sc a I lm e e t t h ep r o d u c tr e q u i r e m e n t s .K e y w o r d
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 0.18μm無邊距接觸孔干法刻蝕工藝的開發(fā)
- 氮化鉭金屬薄膜干法刻蝕的研究.pdf
- 干法刻蝕制程工藝及相關(guān)缺陷的分析和改善.pdf
- 干法刻蝕工藝如何應(yīng)對193納米光刻膠的挑戰(zhàn).pdf
- 相變材料的干法刻蝕及相變存儲器的制備工藝研究.pdf
- 300mm干法刻蝕中鋁金屬腐蝕缺陷優(yōu)化研究.pdf
- 干法刻蝕對產(chǎn)品缺陷的相關(guān)性分析與改善.pdf
- 0.18微米高壓器件生產(chǎn)周期改善與工藝優(yōu)化研究
- 寬帶隙氧化鋅和氧化鎵的干法刻蝕研究.pdf
- 0.18微米存儲器光刻工藝參數(shù)的優(yōu)化研究
- 0.13微米flashmemory中刻蝕工藝研究
- 0.13微米閃存工藝平臺開發(fā)與優(yōu)化研究
- dsticmp工藝在0.18微米邏輯芯片的應(yīng)用
- 0.18微米邏輯生產(chǎn)流程與工藝控制監(jiān)控
- 0.18微米超淺結(jié)構(gòu)造工藝研究
- 0.18微米高壓工藝影響襯底缺陷現(xiàn)象的研究
- 等離子體干法刻蝕低介電常數(shù)絕緣材料的主要問題與解決辦法.pdf
- C-,4-F-,6-在130nm產(chǎn)品中接觸孔-通孔干法刻蝕工藝中的應(yīng)用.pdf
- 40nm硅柵等離子體刻蝕工藝開發(fā)優(yōu)化.pdf
- PMMA的反應(yīng)離子深刻蝕及側(cè)壁鈍化研究.pdf
評論
0/150
提交評論