0.18微米超淺結(jié)構(gòu)造工藝研究

1、1022187棋里大學(xué)碩士學(xué)位論文(專業(yè)學(xué)位)18微米超淺結(jié)構(gòu)造工藝研究院系：信息科學(xué)與工程學(xué)院專業(yè)：姓名：指導(dǎo)教師：完成日期：電子與通信工程施鍇周嘉副教授2006年10月20日學(xué)校代碼學(xué)號(hào)10246033021102摘要對(duì)于O18唧及O18岬以下的器件而言最大的挑戰(zhàn)之一就是如何減少短溝道效應(yīng)，解決這一挑戰(zhàn)的方法是使用超淺結(jié)工藝。本論文研究利用現(xiàn)有O25岬工藝流程和現(xiàn)有設(shè)備實(shí)現(xiàn)018岬超淺結(jié)的工藝方案。使用美國(guó)斯坦福大學(xué)的工藝模擬軟件S

2、upreⅢ4模擬工藝條件，根據(jù)模擬結(jié)果對(duì)離子注入的能量和劑量，快速熱退火的溫度和時(shí)間，注入和退火前硅片表面條件作研究。通過對(duì)工藝條件對(duì)結(jié)深和方塊電阻影響的研究，得到了可行的工藝方案，即低注入能量(5kev)，高注入劑量(350E15atoms／cm2)的離子注入條件；退火前350A魄氧化層，高溫度(1050℃)短時(shí)間(10S)的快速熱退火條件。關(guān)鍵詞：超淺結(jié)，離子注入，快速熱退火，結(jié)深，方塊電阻AbstractUl仃ashallowju

3、nctiontechn0109yist11es01塒ontoreduceshortchaIlnele彘ct(SCE)，wllichisoneof恤ebiggestchallenges婦’subO18岬de、，icesTllisp印ers協(xié)diesmeprocessrecipeforul缸shall娟，junctionofO18阻deVices，realizedbypresentprocessequipmentsbasedon025岬pr

4、ocessnowAftersimlllationbycommercialsofhareSupnne4，processpar鋤eters，suchas，ioniIIlplant抽gene瑪yanddosage，tempera嘶強(qiáng)d血einrapidme吼alprocess(RTP)趾dwa衙surfaceconditionbeforeimpl姐tationarcstIldied111ee位ctsofmoseprocessconditiQn

5、sonjunctiond印mandwafersheetresistance盯edemons廿atedandanalyzed111eavailableprocesscondidonsforu1艦shallowjunctionofO，18mdevicesareobtainedasconclusions：10wimplaIltenergy(5kev)，hi曲implantingdosage(35E15atoms／冊(cè)2)，350Amick0xi