0.13umdamascus銅互連工藝的研究和改善

1、’蠆1 D 2 1 1 0 2飯旦大學學校代碼：1 0 2 4 6學 號；0 4 3 0 5 2 ∞8碩 士 學 位 論 文( 專業(yè)學位)o ．1 3 u I l lD a 蝴銅互連工藝的研究和改善院系( 所) ： 微電子研究院專姓業(yè)： 電子與通信工程名： 沈悅指導教師： 姜國寶副罄授完成日期： 2 0 0 6 年9 月2 0 日復旦大學碩士學位論文 第5 頁0 ．13 啪D a m a s c u s 銅互連工藝的研究和改善摘要在半導

2、體工藝的發(fā)展中，金屬連線工藝從鋁互連制程轉到銅互連制程是一個旅程碑式的進步，它配合低l o wK 材料例如F S G 的應用，使得器件的時間延遲受金屬連線的影響降低到可接受的范圍。而且鑲嵌法在銅工藝種的應用更是解決了銅難以蝕刻的問題，使得半導體器件的關鍵尺寸不斷縮小。本論文通過研究D a m a s c u s 銅互連工藝線上所遇到的i n 一1 i n e 的d e f e c t 展開研究，對其形成的機理和線上制程的缺陷進行分析。本

3、論文通過i n 一1 i n e 的K L A 掃描，以及S E MC U T 對d e f e c t 的原理，以及可能的改進措施進行表征和分析，并且通過S T R 和M S T R 的i n 一1 i n e 參數(shù)收集與分析，對改進方式的可行性與可靠性進行驗證。D a m a s c e n e 工藝中，對于V i a 的保護很重要，V i a 內部的光阻將保證V i a 的底部不會被e t c h 穿，填滿V i a 的光阻仍然由

4、P h o t o 區(qū)T r a c k 機臺旋轉涂膠法涂布完成，因此光阻厚度的u n i f o r m i t y 尤為重要，V i a 中的光阻填充不充分，或是w a f e r 各區(qū)域的厚度不均，都將可能導致V i a 內的光阻被e t c h 盡。在密集型的V i ap a t t e r n 區(qū)域，由于所需要填入的阻擋用光阻量比一般的p a t t e r n 區(qū)域更多，因此這對光阻的圖布要求很高，形成新的挑戰(zhàn)。本文討論了4