清華大學(xué)微電子半導(dǎo)體物理期末考題 鄧寧解讀

1、發(fā)信人:blackeye(黑眼)信區(qū):Pretest標(biāo)題:半導(dǎo)體期末題發(fā)信站:FreeE&E(FriJul210:05:201999)轉(zhuǎn)信1.名詞解釋平帶電壓；光生伏特效應(yīng)；電子阻擋層。2.CV曲線1）解釋理想情況的；2）算有功函數(shù)差和SI02電荷的平帶電壓；3）解釋有界面態(tài)的CV曲線。3.畫異質(zhì)結(jié)能帶圖，求出Vd和勢壘的高度。4.解釋本征吸收限；解釋直接躍遷吸收，間接躍遷吸收；解釋本征吸收限和溫度的關(guān)系；解釋為什么在一定的能量吸收系數(shù)

2、陡峭上升。發(fā)信人:thirteen(餓紅坦克)信區(qū):Pretest標(biāo)題:田奶奶2005年1月12日考題——半導(dǎo)體發(fā)信站:自由空間(WedJan1217:32:532005)站內(nèi)A卷一。選擇題1。摻有磷的硅晶體中再摻入硼，電導(dǎo)率的變化如何（變大，變小，不變）2。溫度升高，pn結(jié)反向電流的變化（大，小，不變）3。光照n型肖特基結(jié)，半導(dǎo)體一側(cè)勢壘高度變化（大，小，不變），金屬一側(cè)的勢壘高度的變化（大，小，不變）4。兩種半導(dǎo)體除摻雜濃度不同Nd

3、1Nd2，其他都相同，求時(shí)間常數(shù)的關(guān)系（.Ws，將形成（電子阻擋層，電子反阻擋層，空穴阻擋層，空穴反阻擋層）8?？昭ㄅc價(jià)帶頂空態(tài)電子的速度（不同，相同），波失（不同，相同）二。簡答題1。溫度不同，吸收限不同的原因。300k時(shí)Ge在0.8eV處吸收系數(shù)陡峭上升，原因是什么（見書中P280的圖10.7）2。Ge和Si的散射機(jī)構(gòu)是什么？溫度升高，分別怎樣變化3。準(zhǔn)熱平衡以及準(zhǔn)費(fèi)米能的含義發(fā)信人:gshh(我不是牛人)信區(qū):Pretest標(biāo)題:

4、1字班半導(dǎo)體（微）期末試題（部分）發(fā)信站:自由空間(2004年01月03日10:31:17星期六)站內(nèi)信件一。簡要說明pn結(jié)勢壘電容和擴(kuò)散電容；簡并半導(dǎo)體和非簡并半導(dǎo)體光生伏特效應(yīng)二。填空（不全）1。Si中兩種主要散射機(jī)構(gòu)__和__，前者遷移率隨溫度升高而__，后者遷移率隨溫度升高而__。2。補(bǔ)償p型Si，電中性條件。低溫弱電離__，強(qiáng)電離__，本征區(qū)__3。兩個(gè)n型半導(dǎo)體形成同型異質(zhì)結(jié)，EgaχbWaWb平衡時(shí)，ΔEc=__ΔEv=_

5、_Vd=__，畫出能帶圖。4。半導(dǎo)體中的光吸收類型有__________三。書上5。7題四。畫n型MOSCV特性曲線1。理想情況，標(biāo)出平帶電容2?？紤]功函數(shù)，WmWs3?？紤]二氧化硅層中的正電荷4?？紤]界面態(tài)5。已知Wm=4.6eVWs=4.3evQi=10^12cm^2，Ci=10^7Fcm^2q=1.610^19C求平帶電壓發(fā)信人:gshh(我不是牛人)信區(qū):Pretest標(biāo)題:Re:1字班半導(dǎo)體（微）期末試題（部分）發(fā)信站:自由空