電子科技大學(xué)半導(dǎo)體物理期末考試試卷a試題答案

1、學(xué)院姓名學(xué)號(hào)任課老師選課號(hào)座位號(hào)………密………封………線………以………內(nèi)………答………題………無(wú)………效……第1頁(yè)共10頁(yè)電子科技大學(xué)二零電子科技大學(xué)二零九至二零至二零一零一零學(xué)年第學(xué)年第一學(xué)期期學(xué)期期末考試考試半導(dǎo)體物理課程考試題A卷（120分鐘）考試形式：閉卷考試日期2010年元月18日課程成績(jī)構(gòu)成：平時(shí)10分，期中5分，實(shí)驗(yàn)15分，期末70分一二三四五六七八九十合計(jì)復(fù)核人簽名得分簽名一、選擇題（共25分，共25題，每題1分）1、本

2、征半導(dǎo)體是指（A）的半導(dǎo)體。A.不含雜質(zhì)和缺陷B.電阻率最高C.電子密度和空穴密度相等D.電子密度與本征載流子密度相等2、如果一半導(dǎo)體的導(dǎo)帶中發(fā)現(xiàn)電子的幾率為零，那么該半導(dǎo)體必定（D）。A.不含施主雜質(zhì)B.不含受主雜質(zhì)C.不含任何雜質(zhì)D.處于絕對(duì)零度3、對(duì)于只含一種雜質(zhì)的非簡(jiǎn)并n型半導(dǎo)體，費(fèi)米能級(jí)EF隨溫度上升而（D）。A.單調(diào)上升B.單調(diào)下降C.經(jīng)過(guò)一個(gè)極小值趨近EiD.經(jīng)過(guò)一個(gè)極大值趨近Ei4、如某材料電阻率隨溫度上升而先下降后上升

3、，該材料為（C）。A.金屬B.本征半導(dǎo)體C.摻雜半導(dǎo)體D.高純化合物半導(dǎo)體5、公式中的是半導(dǎo)體載流子的（C）。mq????A.遷移時(shí)間B.壽命C.平均自由時(shí)間D.擴(kuò)散時(shí)間6、下面情況下的材料中，室溫時(shí)功函數(shù)最大的是（A）得分學(xué)院姓名學(xué)號(hào)任課老師選課號(hào)座位號(hào)………密………封………線………以………內(nèi)………答………題………無(wú)………效……第3頁(yè)共10頁(yè)（A）。A、【100】B、【111】C、【110】D、【111】或【110】14、簡(jiǎn)并半導(dǎo)體是

4、指（A）的半導(dǎo)體。A、(ECEF)或(EFEV)≤0B、(ECEF)或(EFEV)≥0C、能使用玻耳茲曼近似計(jì)算載流子濃度D、導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂能容納多個(gè)狀態(tài)相同的電子15、在硅基MOS器件中，硅襯底和SiO2界面處的固定電荷是（B），它的存在使得半導(dǎo)體表面的能帶（C），在CV曲線上造成平帶電壓（F）偏移。A、鈉離子B、過(guò)剩的硅離子C、向下D、向上E、向正向電壓方向；F、向負(fù)向電壓方向二、填空題（共15分，共15空，每空1分）1、硅的導(dǎo)帶極

5、小值位于布里淵區(qū)的＜100100＞方向上，根據(jù)晶體的對(duì)稱性共有6個(gè)等價(jià)能谷。2、n型硅摻砷后，費(fèi)米能級(jí)向Ec(Ec(上)移動(dòng)，如升高材料的工作溫度，則費(fèi)米能級(jí)向Ei(Ei(下)移動(dòng)。3、對(duì)于導(dǎo)帶為多能谷的半導(dǎo)體，如GaAs，當(dāng)能量適當(dāng)高的子能谷的曲率較小時(shí)，有可能觀察導(dǎo)負(fù)微分電導(dǎo)現(xiàn)象，這是因?yàn)檫@種子能谷中的電子的有效質(zhì)量較大。4、復(fù)合中心的作用是促進(jìn)電子和空穴的復(fù)合，起有效的復(fù)合中心的雜質(zhì)能級(jí)必須位于EiEi（禁帶中線）（禁帶中線），并

6、且對(duì)電子和空穴的俘獲系數(shù)rn和rp必須滿足rn＝rp。5、熱平衡條件下，半導(dǎo)體中同時(shí)含有一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)情況下的電中性條件是＿p0nnD=n=n0ppA。6、金半接觸時(shí)，常用的形成歐姆接觸的方法有＿隧道效應(yīng)隧道效應(yīng)和＿反阻擋層＿反阻擋層7、MIS結(jié)構(gòu)的表面發(fā)生強(qiáng)反型時(shí)，其表面的導(dǎo)電類型和體材料的導(dǎo)電類型＿相反相反（相同或相反），若增加摻雜濃度，其開(kāi)啟電壓將＿增加增加（增加或減?。?。8、在半導(dǎo)體中，如果溫度升高，則考慮對(duì)載流子的