質(zhì)譜解析

1、1.質(zhì)譜就是真空中，利用電子束轟擊待測化學物質(zhì)的分子，將該分子打散，打成一個一個的帶電荷的分子離子片段，再根據(jù)質(zhì)譜儀上各個分子離子片段的出峰位置和強度，最終顯示出各個離子的分子量以及相應(yīng)濃度。2.最右面的峰是全分子的離子峰，是化學物質(zhì)的分子失去1個質(zhì)子產(chǎn)生的峰，最右面的分子量最大了，顯然分子片段不可能比全分子的分子量大，所以最右側(cè)峰應(yīng)該是大約相對分子量的數(shù)值。3.氧上面加上正號，不一定是失去電子，多數(shù)情況下是氧又和一個質(zhì)子(H)結(jié)合了，

2、從而多了一個正電荷。4.看質(zhì)譜圖，只要看特征峰就好了，不要每個峰都知道是什么，只有有自己想要的峰，就行了?；瘜W物質(zhì)的分子中，單純依靠質(zhì)譜來判斷是否有某種化學分子存在的情況幾乎不存在，更重要的是做為一種輔助監(jiān)測手段。不過懂得看質(zhì)譜圖，利用質(zhì)譜分析，還是有必要的什么是質(zhì)譜圖中的分子碎片，怎么寫出它們的化學式？什么是質(zhì)譜圖中的分子碎片，怎么寫出它們的化學式？不同質(zhì)荷比質(zhì)荷比（masstogeratio）指帶電粒子的質(zhì)量與所帶電荷之比值。以me

3、表示。是質(zhì)譜分析中的一個重要參數(shù)，不同me值的粒子在一定的加速電壓V和一定磁場強度E下，所形成的一個弧形軌跡的半徑r與me成正比。90年代時IUPAC規(guī)定用以表示質(zhì)荷比的me改為mz。更多的離子經(jīng)質(zhì)量分析器分開后，到檢測器被檢測并記錄下來，經(jīng)計算機處理后以質(zhì)譜圖的形式表示出來。在質(zhì)譜圖中，橫坐標表示離子的質(zhì)荷比（mz）值，從左到右質(zhì)荷比的值增大，對于帶有單電荷的離子，橫坐標表示的數(shù)值即為離子的質(zhì)量；縱坐標表示離子流的強度，通常用相對強度

4、來表示，即把最強的離子流強度定為100%，其它離子流的強度以其百分數(shù)表示，有時也以所有被記錄離子的總離子流強度作為100%，各種離子以其所占的百分數(shù)來表示。編輯本段質(zhì)譜中主要離子峰從有機化合物的質(zhì)譜圖中可以看到許多離子峰.這些峰的mz和相對強度取決于分子結(jié)構(gòu)并與儀器類型實驗條件有2S3295.00MS330.76M1S344.22M2Cl3575.77MCl3724.23M2Br7950.537MBr8149.463M2(四)重排離子峰

5、分子離子裂解成碎片時有些碎片離子不是僅僅通過鍵的簡單斷裂有時還會通過分子內(nèi)某些原子或基團的重新排列或轉(zhuǎn)移而形成離子這種碎片離子稱為重排離子.質(zhì)譜圖上相應(yīng)的峰稱為重排峰.重排的方式很多其中最重要的是麥氏重排(MclaffertyRearrangement).可以發(fā)生麥氏重排的化合物有醛酮酸酯等.這些化合物含有C=X(X為OSNC)基團當與此基團相連的鍵上具有γ氫原子時氫原子可以轉(zhuǎn)移到X原子上同時β鍵斷裂.例如正丁醛的質(zhì)譜圖中出現(xiàn)很強的mz

6、=44峰就是麥氏重排所形成的.重排離子形成的機理如下:[略如有參考需要可查閱原出處].(五)亞穩(wěn)離子峰前面所闡述的離子都是穩(wěn)定的離子.實際上在電離裂解重排過程中有些離子處于亞穩(wěn)態(tài).例如在離子源中生成質(zhì)量為m1的離子在進入質(zhì)量分析器前的無場飛行時發(fā)生斷裂使其質(zhì)量由m1變?yōu)閙2形成較低質(zhì)量的離子.這類離子具有質(zhì)量為m1離子的速度進入質(zhì)量分析器是具有m2的質(zhì)量在磁場作用下離子運動的偏轉(zhuǎn)半徑大它的表觀質(zhì)量m=[m2]^2m1這類離子叫亞穩(wěn)離子m

7、形成的質(zhì)譜峰叫亞穩(wěn)離子峰在質(zhì)譜圖上m峰不在m2處而出現(xiàn)在比m2更低的m處.由于在無場區(qū)裂解的離子m不能聚焦與一點故在質(zhì)譜圖上m峰弱而鈍一般可能跨2~5個質(zhì)量單位并且mz常常為非整數(shù)所以m峰不難識別.例如在十六烷的質(zhì)譜圖中有若干個亞穩(wěn)離子峰其mz分別位于32.929.528.825.721.7處.mz=29.5的m因41^257≈29.5所以m=29.5表示存在如下裂解機理:C4H9→C3H5CH4mz=57mz=41由此可見根據(jù)m1和m