刻蝕工序培訓

1、RENA InOx刻蝕工序培訓,刻蝕工序工藝培訓刻蝕工序質量培訓刻蝕工序設備培訓,培訓人：龐鳳英 彭連文,一、刻蝕工序工藝培訓,1.刻蝕的目的,擴散過程中，雖然采用背靠背擴散，硅片的邊緣將不可避免地擴散上磷。PN結的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴散有磷的區(qū)域流到PN結的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并聯(lián)電阻。 同時，由于在擴散過程中氧的通入，在硅片表面形成一層二氧化硅，在高溫下POCl3與O2形成的P2

2、O5，部分P原子進入Si取代部分晶格上的Si原子形成n型半導體，部分則留在了SiO2中形成PSG。 后清洗的目的就去除背面及邊緣的PN結和去除硅片表面的PSG（磷硅玻璃）。,刻蝕,清洗1,堿洗,酸洗,吹干2,,,,,,,,,2、后清洗的工藝步驟:,,,清洗2,清洗3,下片,,,上片,刻蝕槽：用于邊緣刻蝕，去除背面及邊緣的PN結。 所用溶液為HF+HNO3+H2SO4，主要工藝參數(shù)：Firstfill volume:2

3、70.0L; Firstfill volume H2SO4 :80.0L; concentrations of chemical:HF(35g/L)&HNO3 (350g/L); Quality:120.0Kg; Setpoint recirculation flow:22.0L/min; Bath processtemperature:7±2 ℃影響因素：溫度、濃

4、度比、時間（通過調節(jié)滾輪速度來控制） 注意擴散面須向上放置， H2SO4的作用主要是增大液體浮力，使硅片很好的浮于反應液上（僅上邊緣2mm左右和下表面與液體接觸）。 根據(jù)刻蝕情況，可對溫度作適當?shù)男拚?。越高的溫度對應越快的反應速度，故如果刻蝕不夠則可適當提高反應溫度，反之亦然。當藥液壽命（Quality）到后（150W片左右），需更換整槽藥液。,堿洗槽 ： 所用溶液為KOH，主要工藝參數(shù)：Firstfill concent

5、ration of chemical:5%; Bath lifetime:250hours;Bath processtemperature:22±4 ℃當藥液壽命（ Bath lifetime ）到后，需更換整槽藥液。影響因素：濃度、時間堿洗槽的作用：1.洗去硅片表面多孔硅；2.中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。,HF酸槽 ： 所用溶液為HF，主要工藝參數(shù)：Firstfill concentration

6、 of chemical: HF(5%); Bath ifetime:250hours; Bath processtemperature:22± 4 ℃當藥液壽命（ Bath lifetime ）到后，需更換整槽藥液。影響因素：濃度、時間HF酸槽的作用：1.中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液；2.去PSG,3.后清洗的原理 3.1濕法刻蝕原理: 利用HNO3和HF的

7、混合液體對擴散后硅片下表面和邊緣進行腐蝕,去除邊緣的N型硅,使得硅片的上下表面相互絕緣。,邊緣刻蝕原理反應方程式：,①4HNO3+3Si=3SiO2+4NO+2H2O②SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O,刻蝕前,刻蝕后,刻蝕前后比較,,,n+ Si,PSG,SPC控制：當硅片從設備中流轉出來時，工藝需檢查硅片表面狀態(tài)，絨面無明顯斑跡，無藥液殘留。156多晶該工序產(chǎn)品要求腐蝕深度控制在0.8～1.2μm范圍之內,且硅片表面刻

8、蝕寬度不超過2mm, 同時需要保證刻蝕邊緣絕緣電阻大于1K歐姆。,3.2去除磷硅玻璃的目的： 1) 磷硅玻璃的存在使得硅片在空氣中表面容易受潮，導致電流的降低和功率的衰減。 2) 死層的存在大大增加了發(fā)射區(qū)電子的復合，會導致少子壽命的降低，進而降低了Voc和Isc。 3) 磷硅玻璃的存在使得PECVD后產(chǎn)生色差。,去PSG原理方程式： SiO2+4HF=SiF4

9、+2H2O SiF4+2HF=H2[SiF6] 總： SiO2+ 6HF=H2[SiF6]+2H2O去PSG工序檢驗方法：當硅片從HF槽出來時，觀察其表面是否脫水，如果脫水，則表明磷硅玻璃已去除干凈；如果表面還沾有水珠，則表明磷硅玻璃未被去除干凈，可在HF槽中適當補些HF。,4.后清洗工序工藝要求,后清洗出來的片子，不允許用手摸片子的表面。收片員工只允許接觸

10、片子的邊緣進行裝片。并且要勤換手套，避免PECVD后出現(xiàn)臟片！每批片子的腐蝕重量和絕緣電阻都要檢測。 1.要求每批測量4片。 2.每次放測量片時，把握均衡原則。如第一批把測試片放1.3.5.7道，下一批則放2.4.6.8道，便于監(jiān)控設備穩(wěn)定性和溶液的均勻性。生產(chǎn)沒有充足的片子時，工藝要求： 1.如果有1小時以上的停機，要將刻蝕槽的藥液排到tank，減少藥液的揮發(fā)。 2.停機后15分鐘用水槍沖洗堿槽噴淋及風刀，防止酸堿

11、形成的結晶鹽堵塞噴淋口及風刀。 3.停機1小時以上，要在開啟機器生產(chǎn)前半小時用水槍沖洗風刀處的滾輪，杜絕做出來的片子有滾輪??！,后清洗到PECVD的產(chǎn)品時間最長不能超過4小時,時間過長硅片會污染氧化，從 而影響產(chǎn)品的電性能及效率.刻蝕槽液面的注意事項： 正常情況下液面均處于綠色，如果一旦在流片過程中顏色改變，立即通知工藝人員。,二、刻蝕工序質量培訓,刻蝕工序的質量控制主要分為來料質量控制和刻蝕后的質量控制。,1 來料要求,1

12、.1來料硅片的方阻要求在55~60歐姆。1.2來料硅片不能有黃點、污點等現(xiàn)象。,刻蝕工序質量控制點,2 出片質量控制點,2.1 刻蝕線寬度,刻蝕線寬度的測試主要是目測，一般硅片流出來之后，觀察其刻蝕線寬及刻蝕線的均勻性，要求線寬≤2mm。,刻蝕線,,,,,一個微過刻的片子,2.2 減薄量 減薄量的大小會影響到方阻的大小，減薄量過大會導致硅片方阻過大，反之亦然。減薄量控制在0.045~0.068g 。減薄量用電子天平進行測定。

13、測定方法：每批取四片，分別測刻蝕前和刻蝕后的重量并作記錄。每次放測量片時，把握均衡原則。如第一批把測試片放1.3.5.7道，下一批則放2.4.6.8道，便于監(jiān)控設備穩(wěn)定性和溶液的均勻性。,減薄量檢測步驟：,1)取樣時確保手套是干凈的，不干凈的手套或不戴手套禁止觸摸硅片；確保天平已經(jīng)校準好。2)取好樣以后用盒子盛裝拿到稱重處，對天平去皮。3）對每片稱重并記錄在電腦，同時記錄批號和時間。4）稱好4片后在RENA上料臺放片，注意每隔一道

14、放一片。硅片從RENA機出來后，收齊硅片。5）注意稱重前后的每片硅片是相對應的，不要混淆。6）去PSG工序要求的腐蝕厚度為0.045~0.068g之間，如果高于或低于這個范圍，電腦數(shù)據(jù)表會提供一個參考值。生產(chǎn)部組長或技術員根據(jù)推薦值做修改，但技術員必須知道有這個異常。,,2.3邊緣電阻刻邊后硅片各邊的絕緣電阻＞1000歐姆。用萬用表測定硅片的邊緣電阻。如果小于1000歐姆，則可能邊緣的P-N結沒有刻斷。邊緣漏電，并聯(lián)電阻(Rsh)

15、下降,嚴重可導致失效。,測定方法跟減薄量相同，要求每批測量4片，每次放測量片時，把握均衡原則。便于監(jiān)控設備穩(wěn)定性和溶液的均勻性。取樣如同減薄量測定。,冷熱探針法的檢測原理,探針和N型半導體接觸時，傳導電流將流向溫度較低的區(qū)域，使得熱探針處的電子缺少，因而其電勢相對于同一材料上的室溫觸點而言是正的。同樣原理，P型半導體熱探針觸電相對于室溫觸點而言是負的。,萬用表操作及判斷,1）確認萬用表工作正常，量程置于200mv。2 ）冷探針連接電壓

16、表的正電極，熱探針與電壓表的負極相連。,3）用冷熱探針接觸硅片的一個邊沿不相連的兩點，電壓表顯示這兩點間的電壓為正值，說明導電類型為P型，且大于30mv；如果數(shù)值為正值，但數(shù)值小于30mv，則為刻蝕不合格。相同的方法檢測另外三個邊沿的導電類型是否為P型以及數(shù)值的大小。4）如果經(jīng)過檢測，任何一個邊沿沒有刻蝕合格，則這一批硅片需要重新裝片，進行返工刻蝕。,2.4方阻變化量刻蝕后方阻的的上升幅度小于3歐姆。測定方法為四探針法。,

17、2.5 硅片5S控制硅片表面保持干凈，不允許有水珠，污點等現(xiàn)象。不允許手直接接觸硅片的表面。如果有水珠沒有吹干，將會影響下道鍍膜工序的外觀，鍍膜后硅片表面有白點?；虺霈F(xiàn)花紋、手紋印等。后清洗到PECVD的產(chǎn)品時間最長不能超過4小時,時間過長硅片會污染氧化，從而影響產(chǎn)品的電性能及效率.,6、后清洗常見異常圖片分析,7、后清洗常見異常處理流程,三、刻蝕工序設備培訓,刻蝕工藝步驟： 邊緣刻蝕→堿洗 →酸洗→吹干,RENA InOxSid

18、e后清洗設備的主體分為以下七個槽，此外還有滾輪、排風系統(tǒng)、自動及手動補液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等。,Etch bath,Rinse1,AlkalineRinse,Rinse2,HF bath,Rinse3,Dryer2,,,,,,,,,一、刻蝕設備構造,“一化一水”，硅片每經(jīng)過一次化學品，都會經(jīng)過一次水噴淋清洗。除刻蝕槽和第一道水噴淋之間,其它的槽和槽之間都有吹液風刀除刻蝕槽外，其它化學槽和水槽都是噴淋結構，去PSG氫氟酸槽

19、是噴淋結構，而且片子進入到溶液內部。最后一道水噴淋（第三道水噴淋）由于要將所有化學品全部洗掉，所以水壓最大。相應的，最后的吹干風刀氣壓最大。,上片,刻蝕槽H2SO4/HNO3/HF,水噴淋,堿洗槽NaOH,水噴淋,去PSG槽HF,水噴淋,下片,吹干風刀,,,,,,,,,RENA Inoxide 大致構造,RENA清洗設備注：前、后清洗設備外觀相同，內部構造和作用原理稍有不同,Etch bath：刻蝕槽

20、，用于邊緣刻蝕。 所用溶液為HF+HNO3+H2SO4，作用：邊緣刻蝕，除去邊緣PN結，使電流朝同一方向流動。 注意擴散面須向上放置， H2SO4的作用主要是增大液體浮力，使硅片很好的浮于反應液上（僅上邊緣2mm左右和下表面與液體接觸）。,Alkaline Rinse：堿洗槽 。 所用溶液為KOH，作用：中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。,HF Bath：HF酸槽 。 所用溶液為HF，作用：中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿

21、液；去PSG,Rinse 1~3為水洗槽；水洗槽與槽之間相互聯(lián)通。Dryer 2為風刀；通過調節(jié)風刀的角度和吹風的壓力，使硅片被迅速吹干。滾輪分三段設定速度，其中converyor1≤converyor 2≤converyor 3，（傳送帶）否則前快后慢，易在設備中因為疊片而造成碎片。滾輪速度（即制絨時間）根據(jù)需要的腐蝕深度來進行設置，生產(chǎn)過程中可根據(jù)測試結果來進行滾輪速度修正。一般滾輪速度慢，則反應時間增加，腐蝕深度加深，反之亦然

22、。,后清洗機臺的操作界面，基本的工藝要求，換藥規(guī)程等、基本都都同于前清洗設備，在此不再累述。 需要注意的是：后清洗刻蝕槽處的排風很重要,二、RENA設備常見報警信息,1 關于waferjam（疊片）報警出現(xiàn)此類滾輪是報警時，工藝人請設備人員調整滾輪并取出碎片。如果是滾輪原因造成上述報警，同時上級決定暫時不能停機，可選擇不在報警道投片，待工藝換藥或設備PM時要求設備人員進行相應調整。此外可要求生產(chǎn)人員可適當增

23、大放員需檢查各段否正常工作，設備中是否出現(xiàn)卡片、碎片。如果出現(xiàn)上述異常，需及時片間距，減少疊片的發(fā)生。2 關于temperature（溫度）報警出現(xiàn)此類報警時，工藝人員需確認coolingunit在工作，確認有循環(huán)流量，然后等待并觀察溫度是否降低。如果溫度沒有下降趨勢，通知設備人員進行檢查。,3 關于pump（泵）報警 出現(xiàn)此類報警時，工藝人員需確認報警槽的溶液量是否達到液位要求，循環(huán)是否正常。如有異常，補加藥液并手動打開槽

24、體循環(huán)。同時要求設備人員檢查該槽噴淋濾芯是否正常。4 關于dry（風刀）報警 出現(xiàn)此類報警時，工藝人員需檢查外圍供氣壓力是否正常，風刀有無被堵。并及時通知外圍人員或設備人員作出相應調整。5 關于刻蝕槽flow（流量）報警出現(xiàn)此類報警時，工藝人員需檢查是否有碎片堵住藥液入口。如有碎片需取出后，將藥液打入tank混勻溶液后重新將藥液打入bath中。如果流量不穩(wěn)定報警，需要求設備人員檢查相應傳感器,6 關于overfilled（

25、溶液過滿）報警出現(xiàn)此類報警時，工藝人員需要求設備檢查液位傳感器是否正常工作。如果確實過滿，則需要手動排掉部分藥液，直到達到生產(chǎn)液位要求。7 關于 tank empty（儲藥罐空）報警出現(xiàn)此類報警時，說明外圍相應儲藥罐中的藥品已空，需及時通知外圍人員添加藥液。,8 關于 valve blocked（閥門被堵）報警出現(xiàn)此類報警時，則有閥門被堵，必須立即通知設備人員處理。9 顏色突出指示的意義 出現(xiàn)報警信息時，各種顏色突出所

26、指示的相關意義如下圖所示,三、如何減小RENA設備的碎片率,39,,正確位置,錯誤的位置,1. 放片方法應嚴格按照作業(yè)指導書，輕拿輕放在正確位置。多晶156的硅片由于面積較大，如果放置的位置不正確，很容易造成疊片卡片等，致使硅片在機器中碎裂。,40,2. 提高擋板的高度使得片子能夠順利的通過. 滾輪能夠碰到擋板的地方，可以選擇將擋板

27、切掉一部分.,蓋子容易碰到滾輪,,41,3. 減少CDA的壓力，調節(jié)上下風刀的壓力，使得上下壓力到達均衡． 4.調整風管的方向，確保O-ring沒有碰到風管．,調節(jié)擋板和滾輪之間的距離,42,5. 調整噴淋管的位置，至滾輪能夠光滑的運行． 6.調整風管和水管的位置，使得片子在通過的時候，不會影響片子的運行．,43,7. 檢查所有滾輪和O-ring的位置是正確的，確保上下滾輪在同一條線上． 8.調節(jié)滾輪的

28、高度和水洗管的位置保證片子在傳送過程中無偏移．如果發(fā)生偏移會產(chǎn)生碎片．,,44,9.調節(jié)滾輪１的速度小于滾輪２的速度，如果生產(chǎn)不趕產(chǎn)量，則盡量讓生產(chǎn)人員放片子不要太急，拉大片間距，這樣片子進出設備較均勻，不易產(chǎn)生疊片等現(xiàn)象．,片子之間距離2cm,45,10.工藝人員在日常正常生產(chǎn)過程中，如果發(fā)現(xiàn)機器碎片，一方面應該提醒產(chǎn)線員工注意放片規(guī)范，減少疊片和歪片；另一方面，應巡查上述主要地方，及時找到并清理在設備中殘留的碎片，杜絕更多碎片的產(chǎn)生

29、。,四、前后清洗十項影響效率、良率(或特定電參數(shù))的原因,A.片源不同 這里提到的片源差異包括多晶硅料的不同（鍋底料、邊皮料、金屬硅、復拉料、重摻雜等等）以及晶體大小不同（微晶片等），對于前清洗，片源不同，腐蝕量、腐蝕速率和形成的絨面結構都會不同，短路電流將受到重大影響，其他電性能也會受到一定程度的影響。后清洗雙向切割片的線痕過大會造成過刻等。 預防措施：1集中投片配合工藝對藥液的調節(jié)2每批產(chǎn)品測量刻蝕重量

30、是有超規(guī)范,B.藥液濃度的穩(wěn)定性 包括藥液補加量的準確程度，藥液的揮發(fā)，工藝參數(shù)的設置等。 預防措施：1.設備帶料不生產(chǎn)時把藥液排到TANK槽中2.控制穩(wěn)定的溫度3.測量硅片反射率是否超規(guī)范4.每批產(chǎn)品測量刻蝕重量是有超規(guī)范5.希望設備端給設備安裝實際測量藥液補加的測量器,C.溫度的波動 溫度直接影響片子與藥液反應的程度，其波動的大小和波動的周期直接影響批內和批次間腐蝕量和刻蝕量的不同，進

31、而導致電性能的波動。 預防措施：1.設備定期檢查cool是否正常2.設備端進行溫度SPC監(jiān)控3.工藝每天檢查溫度趨勢4.測量硅片反射率是否超規(guī)范5.每批產(chǎn)品測量刻蝕重量是有超規(guī)范,D.設備噴淋的異常 噴淋的異常會導致藥液殘留和一些反應不能正常進行，進而出現(xiàn)臟片。 預防措施：1.設備每次做完PM時調整好噴淋角度，并用假片檢查硅 片是否有臟片。2.生產(chǎn)每兩小時檢查設備是否有碎片

32、卡在滾輪中，堵住噴 淋口3.蓋擋板時須輕放，避面擋板打偏噴淋口4.對于堿槽，當設備待料超過15分鐘時必須沖洗噴淋及風刀,E.過刻的異常 后清洗造成過刻，鍍膜后黑邊，且造成短路，從而影響效率及良率 預防措施：1.調節(jié)排風或降低流量或提高速度2.設備端安裝排風監(jiān)控表，并每天檢查3.滾輪或槽體擋板變形，需調整滾輪或擋板4.藥液濃度異常，需調節(jié)濃度5.希望設備端給設備安裝實際測量藥液補加的測量器

33、,F.設備滾輪的變形異常 導致碎片、腐蝕不均、過刻、硅片沾不到液等，最終影響效率 預防措施：1.設備PM時定期檢查2.工藝及時反饋刻蝕狀況,G.設備PM徹底性和細化 PM進行的徹底到位可以保證生產(chǎn)的正常進行，如濾芯的清洗，清洗不好，可能導致水不干凈，造成水痕臟片等；碎片清理不徹底可能導致碎片流入藥液管道造成藥液流量降低，滴定閥堵塞漏酸，造成臟片等。 預防措施：1.要求設備PM

34、之前必須沖洗各個槽滾輪，且在PM后工藝端檢查是否做到位，看碎片是否清洗干凈，滾輪是否安裝好等,H.測量儀器的短缺 測量儀器的短缺會造成測量不能及時進行，產(chǎn)品質量不能保證，甚至導致生產(chǎn)大量不良片后才發(fā)現(xiàn)。至少保證每兩臺機器有一臺測量儀器（電子天平和絕緣電阻測試儀）。 預防措施：1.設備定期檢查測量儀器是否完好，準確2.校正部門應定期校正測量儀器3.應給每臺設備配備測量儀器,I.工藝規(guī)定和要求執(zhí)行的不徹底

35、1.主要包括新?lián)Q藥液后和待機一段時間后跑假片，假片跑不夠，就會出現(xiàn)滾輪影或刻蝕量不夠；2.片源不足時集中投放，不然前清洗容易出現(xiàn)刻蝕量不均勻，后清洗容易出現(xiàn)過刻；3.清洗后的片子放置時間控制，硅片表面氧化，影響后面效率良率；4.待料時滾輪不及時沖洗，容易出現(xiàn)堿槽噴淋風刀鹽結晶堵塞，導致出現(xiàn)臟片和 水洗1槽濾芯鹽結晶堵塞，出現(xiàn)流量低，從而出現(xiàn)臟片等。 預防措施：1.培訓員工了解工藝規(guī)范2.建立考核制度3.工藝設備

36、加強檢查生產(chǎn)的執(zhí)行情況,J.員工的操作不當、質量意識欠缺以及作業(yè)區(qū)5S執(zhí)行狀況 主要表現(xiàn)為片子放反，出現(xiàn)不良時不能及時發(fā)現(xiàn)隔離并通知工藝和設備，減少不良產(chǎn)生等。手套，片盒，桌面，機臺等衛(wèi)生狀況都會影響產(chǎn)品質量。預防措施：1.培訓員工了解工藝規(guī)范及5S規(guī)范2.建立考核制度3.5S、工藝、設備加強檢查生產(chǎn)的執(zhí)行情況,五、緊急情況的處理,情況 一 ：堿槽發(fā)生堵片 片子在堿液中浸泡時間過長，硅片會

37、于堿液發(fā)生反應，正面的PN結很快就會受到破壞，而后會腐蝕表面的金字塔，甚至達到拋光的效果。堿槽發(fā)生堵片需立即用大量清水沖洗硅片，待片子取出后，手動狀態(tài)下用RENA清洗這些片子（水噴淋、酸洗、吹干），將片子上殘留的酸液洗凈，然后進行方塊電阻的測量，電阻無異常的可按正常程序繼續(xù)生產(chǎn)下去（從鍍膜開始往下做）；電阻異常的，擴散能返工好的在擴散返工，擴散無法返工的從制絨開始重新做。,情況 二：刻蝕槽發(fā)生堵片 此時片子正面一般都會沾上

38、刻蝕液，從而破壞正面的PN結。為防止刻蝕液被稀釋，取片時不宜用大量水沖洗。這種片子取出后，需在手動狀態(tài)下用RENA清洗這些片子（堿洗、水洗、酸洗、吹干），將片子上殘留的酸液洗凈，然后進行方塊電阻的測量，電阻無異常的可按正常程序繼續(xù)生產(chǎn)下去（從RENA開始往下做）；電阻異常的，擴散能返工好的在擴散返工，擴散無法返工的從制絨開始重新做。,情況 三 ：酸槽發(fā)生堵片 片子在酸液中浸泡時間過長，硅片會于酸液發(fā)生反應，在電池片表面形成一種黃褐

39、色的膜。酸槽發(fā)生堵片時立即用大量清水沖洗，只要沖洗及時是不會有影響的，此時只要手動狀態(tài)下用RENA清洗這些片子（水噴淋、酸洗、吹干），然后從鍍膜開始往下做。,情況 四 ：設備斷電或重大報警導致的機器異常停止 設備斷電或異常停止后，刻蝕槽溶液會自動打回儲備槽。 1.若果設備立即就能恢復，此時將設備切換到手動狀態(tài)，將除刻蝕槽外的所有工序打開，然后打開滾輪，讓硅片及時走出。這種情況下，出現(xiàn)異常時已經(jīng)經(jīng)過堿槽的

40、片子可正常往下做；而停在刻蝕槽中的片子需重新完整的再經(jīng)過一遍RENA刻蝕：堿槽的片子需測一下方塊電阻，正常即可往下做，電阻變大需從擴散開始返工。,2.若果設備較長時間不能恢復，此時盡量用水槍沖洗滯留在堿槽、酸槽中的片子，防止片子與溶液發(fā)生反映。待設備恢復后，切換設備到手動狀態(tài)，將除刻蝕槽外的所有工序打開，然后打開滾輪，讓硅片及時走出。此時若硅片表面顏色、外觀沒有變化，可以將出現(xiàn)異常時已經(jīng)經(jīng)過堿槽的片子正常往下做；停在刻蝕槽中的片子重新完

41、整的再經(jīng)過一遍RENA刻蝕；堿槽的片子需測一下方塊電阻，正常即可往下做，電阻變大需從擴散開始返工。若堿槽硅片已出現(xiàn)拋光現(xiàn)象或酸槽硅片的表面顏色已經(jīng)變化，需將堿槽和酸槽的片子從制絨開始返工，其它槽的片子需重新做一遍RENA刻蝕。,六、開關機操作,1. 開機1.檢查冷卻水、電、氣（包括N2 ，壓縮空氣），化學品（HF ，HNO3， H2SO4，NaOH）是否供應正常；2.開機，開關位于灰色的電氣箱上；3.打開顯示器；

42、4.登錄。點擊屏幕右上角“Login”，輸入帳號和密碼，點擊“Login”；5.注意，在“Mode Off ”模式下，圖表里的所有操作的單元顯示“Off ”。 此外，當腐蝕溶液仍在儲液槽里時，Etch Bath圖表顯示為“not ready”；,6.輸入相關工藝文件。點擊進入“Recipe > Rec. Admin.”選擇相應的工藝文件后，點擊“Load Recipe”>“Write recipe to PLC”；7

43、.返回主界面，點擊“Mode Auto” 返回自動模式。 圖表顯示“Off ”(藍色)變成“Auto”(綠色)；8.設備將自動從儲液槽將溶液補入腐蝕槽 etch bath,圖表顯示為“filling chemie”(黃色)； 9.等待直到腐蝕槽Etch Bath補滿，溫度達到設定值，圖表顯示為“Full Chem.” and “ready” (兩個都是綠色)。,2.關機1.先確定設備內有沒有硅片，待所有硅片出來后才能進行關機

44、操作；2.點擊屏幕下方的“Stop”；3.把Etch Bath的溶液排到儲液槽。點擊選擇手動模式 “Mode Manual.” , 然后在選單 “Manual > Etch Bath”中，點擊“Drain bath”；4.等待Etch Bath排液完成顯示“Empty”(黃色)；5.點擊“Mode Off” 進入離線模式；6.檢查設備門位置，調整好；,7.點擊右上角的“Logoff”，一個視窗會跳出；

45、8.點擊“Logoff”，設備門將被鎖上；9.如果設備門沒有關好，alert警告會出現(xiàn)。 再次登錄，調 整好門并取消警報；10.關掉顯示器；11.關機，開關位于灰色的電氣箱上。（注意：不要用設備的供電開關關機）,七、設備操作注意事項,1.整個清洗過程中，應關閉所有工作的窗子，以防氣態(tài)化學物外泄。如有泄露，要及時通知相關部門。2.在整個清洗過程中，嚴禁有金屬雜質進入清洗槽。3.作業(yè)人員在操作過程中如果發(fā)現(xiàn)化