基于襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)的超低壓、超低功耗CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì).pdf

1、隨著無線通信設(shè)備、筆記本電腦、消費(fèi)類電子和可移植醫(yī)療設(shè)備市場的不斷擴(kuò)大，極低電壓工作環(huán)境下的芯片研發(fā)日益受到關(guān)注。因此，超低壓、超低功耗模擬集成電路設(shè)計(jì)已經(jīng)成為IC設(shè)計(jì)的重點(diǎn)方向之一。本文首先介紹超低壓、超低功耗模擬集成電路的發(fā)展趨勢，同時(shí)也分析了目前超低壓、超低功耗模擬集成電路設(shè)計(jì)的主要方法和挑戰(zhàn)；重點(diǎn)研究了襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)在超低壓、超低功耗模擬集成電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用。論文通過介紹襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)的原理，對襯底驅(qū)動(dòng)MOS管的工作原理、電器特性等

2、進(jìn)行系統(tǒng)分析。同時(shí)運(yùn)用襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)，基于TSMC 0.25μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，設(shè)計(jì)了工作在0.8V的軌至軌(rail-to-rail)CMOS運(yùn)算放大器；運(yùn)用襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)，結(jié)合亞閾值技術(shù)和組合MOS管技術(shù)，分別基于CSMC 0.6μmCMOS工藝、TSMC 0.35μm CMOS工藝對傳統(tǒng)的密勒運(yùn)算跨導(dǎo)放大器(Miller OTA)電路進(jìn)行改進(jìn)，使其分別工作在0.9V和0.6V的超低電壓下。用Hspice對所設(shè)計(jì)的運(yùn)算放大器電路進(jìn)行仿