基于準(zhǔn)浮柵技術(shù)的低壓模擬集成電路設(shè)計研究.pdf

1、隨著集成電路工藝向超深亞微米發(fā)展和便攜式電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，低壓低功耗模擬集成電路設(shè)計逐漸成為一項(xiàng)熱門技術(shù)。本文重點(diǎn)研究基于準(zhǔn)浮柵技術(shù)的低壓低功耗模擬集成電路設(shè)計技術(shù)。在介紹多輸入浮柵晶體管的基礎(chǔ)上，對準(zhǔn)浮柵MOS晶體管的工作原理、等效電路及電氣特性進(jìn)行了系統(tǒng)分析。完成了一系列低壓模擬集成電路單元的設(shè)計，其中包括低壓模擬開關(guān)、運(yùn)算放大器、可調(diào)增益放大器和6位電容定標(biāo)數(shù)模轉(zhuǎn)換器等。通過設(shè)計一個基于準(zhǔn)浮柵技術(shù)的1V，2.4GHzCMOS混頻

2、器，表明準(zhǔn)浮柵技術(shù)在射頻領(lǐng)域也有著廣闊的應(yīng)用前景。論文分別基于CSMC0.6μm和TSMC0.25μmCMOS工藝的BSIM3V3模型，利用CadenceSpectre和Hspice等仿真工具對本文所設(shè)計的所有電路進(jìn)行了模擬仿真。最后，分別根據(jù)CSMC0.6μm雙多晶雙層鋁布線和TSMC0.25μm雙多晶五層鋁布線CMOS工藝的設(shè)計規(guī)則，利用CadenceVirtuoso版圖設(shè)計工具對準(zhǔn)浮柵全差分運(yùn)算放大器、6位準(zhǔn)浮柵數(shù)模轉(zhuǎn)換器以及準(zhǔn)浮