外電場作用下壓控電穿孔模型的研究.pdf

1、該文以電致壓縮理論和臨時親水性通道理論為基礎(chǔ),根據(jù)Chang速凍實驗結(jié)果,構(gòu)建了壓控電穿孔模型(VCEP).在外電場下細胞的跨膜電壓一般用Schwan方程表示,但它已不能描述出現(xiàn)穿孔后細胞的跨膜電壓,所以引入細胞膜的孔電導(dǎo)和靜息電位,用更準(zhǔn)確的方程描述了細胞在發(fā)生電穿孔后的跨膜電壓方程,驗證了跨膜電壓不僅與外加電場的幅值和時間有關(guān)系,與膜孔半徑和靜息電位也有著密切的聯(lián)系.該文從電學(xué)的角度分析膜孔的擴張過程,歸納出膜孔的擴張力主要是由孔

2、電容上積聚的電荷產(chǎn)生的,又根據(jù)細胞膜兼有磷脂雙分子層的流動性和蛋白質(zhì)骨架的生物機理,歸納出細胞膜磷脂雙分子層阻止膜孔擴張的阻力和膜孔半徑有關(guān)系,因此建立了膜孔擴張的動力學(xué)方程.在細胞膜電穿孔的修復(fù)機理還沒有新的突破前提下,按照膜孔擴張的動力學(xué)方程設(shè)立了膜孔自動修復(fù)的動力學(xué)方程.運用Matlab對VCEP模型進行了仿真,驗證了電場的選擇可使細胞膜電穿孔的膜孔半徑和穿孔時程達到可控,同時討論了膜孔大小和形成膜孔的速度可通過修改電場參數(shù)來改變