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文檔簡介
1、芯片內(nèi)部溫度場分布對采用90nm及以下深亞微米工藝生產(chǎn)的集成電路(如高性能通用處理器)芯片的性能影響很大，因此在其物理設(shè)計過程中應(yīng)當(dāng)考慮芯片內(nèi)部溫度場的影響，但目前還沒有一種成熟的芯片級溫度場分析工具可應(yīng)用于這類芯片的物理設(shè)計。 本文提出了一種根據(jù)有限元分析法對芯片建模并進(jìn)行熱分析，最終得到芯片溫度場分布的方法。該方法綜合考慮了由芯片生產(chǎn)工藝決定的芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，芯片的外部散熱情況，并采用接近芯片真實工作情況的功耗分析結(jié)果模擬芯片
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