晶圓清洗工藝中水痕問(wèn)題的研究.pdf

1、在集成電路制造清洗工藝中，水痕缺陷是一種常見(jiàn)的缺陷類型，其對(duì)芯片的良率具有較大的影響，特別是在前段制造工藝中（FEOL）。本文以動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）芯片柵電極制作中在硅化鎢（Wsix）沉積之前多晶硅自生氧化物去除清洗（Wsix PRECLEAN）工藝步驟做為實(shí)驗(yàn)對(duì)象，對(duì)此工藝步驟產(chǎn)生的水痕缺陷進(jìn)行研究。通過(guò)對(duì)大量缺陷的電子掃描和對(duì)缺陷的化學(xué)成分進(jìn)行分析，找出水痕缺陷的特點(diǎn)，得出判斷方法。繼續(xù)完成后續(xù)工藝步驟，逐步觀察水痕缺陷在

2、后續(xù)工藝中形態(tài)的變化、對(duì)后續(xù)工藝步驟產(chǎn)生的影響和缺陷對(duì)產(chǎn)品良率的影響,并分析得出其失效模式。對(duì)于已經(jīng)產(chǎn)生的水痕缺陷，由成分分析的結(jié)果，找出有效的重新化學(xué)表面處理（REWORK）去除缺陷的方法。分析研究對(duì)象表面材質(zhì)親水性質(zhì)，并依據(jù)晶圓在化學(xué)清洗液中的清洗原理，闡述經(jīng)清洗工藝中不同特性的化學(xué)清洗液處理以后的晶圓表面親水性質(zhì)，結(jié)合當(dāng)前廣泛應(yīng)用在晶圓清洗中的干燥機(jī)構(gòu)，來(lái)研究不同的表面親水性質(zhì)在不同干燥工藝條件下與水痕缺陷之間產(chǎn)生的聯(lián)系。最后根據(jù)