基于非易失存儲器應(yīng)用的鈦基納米晶制備工藝的研究.pdf

1、隨著集成電路的技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷向前推進(jìn)，傳統(tǒng)的浮柵存儲器和SONOS 存在著固有的局限性，而以利用硅材料或金屬納米晶制造的閃存存儲器很容易克服這些的局限性，所以引起了大家的廣泛注意。另外金屬納米晶具有態(tài)密度高、費(fèi)米能級選擇范圍廣以及無多維載流子限制效應(yīng)等優(yōu)越性，所以金屬納米晶閃存儲器在下一代閃存器件中具有很好的應(yīng)用前景。對納米晶存儲器來說，如何得到均勻的，密度，大小合適的納米晶是關(guān)鍵。 本文就是致力于一種Ti 基納米晶金屬納米晶

2、制備的研究。重點(diǎn)闡述了如何利用簡單的氣相沉積（PVD,CVD）法獲得均勻，高密度的金屬納米晶。另外，對于均勻性，尺寸要求嚴(yán)格的納米晶，如何檢測也是關(guān)鍵， 本文除了利用傳統(tǒng)的SEM和TEM 方法檢測到了Ti 基納米晶，還首次利用Quantox 機(jī)臺對Ti 基納米晶的電學(xué)隔離和存儲特性進(jìn)行檢測，這為今后實(shí)際生產(chǎn)過程中，納米晶的選擇和在線測控提供了一種簡單的方法。 本文所制備的納米晶和對納米晶的檢測方法有望進(jìn)一步的應(yīng)用在今后納