基于憶阻的非易失性存儲(chǔ)方法的研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩61頁未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、隨著大數(shù)據(jù)時(shí)代的來臨,需要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息越來越多,時(shí)代發(fā)展的需要給存儲(chǔ)設(shè)備的容量和性能提出了更高的要求。但是,根據(jù)摩爾定律,集成電路的體積和性能的發(fā)展即將到達(dá)極限,集成電路的發(fā)展將會(huì)遭遇瓶頸。憶阻,被稱為下一代能夠取代閃存的非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)的理想材料之一,具有SRAM的快速存儲(chǔ)速度、DRAM簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)、閃存的非易失性的特點(diǎn)、具有比相變存儲(chǔ)器更短的開關(guān)時(shí)間并且能夠與CMOS晶體管技術(shù)相兼容,這些優(yōu)勢(shì)使憶阻成為了具有劃時(shí)代意義的新型非易失性

2、存儲(chǔ)技術(shù)。目前,憶阻被廣泛地應(yīng)用于交叉陣列的存儲(chǔ)中,為存儲(chǔ)設(shè)備的發(fā)展帶來了曙光。
  論文首先對(duì)薄模型TiO2憶阻的物理機(jī)制進(jìn)行深入分析,闡述了憶阻開關(guān)機(jī)理,主要包括電子的隧穿過程和熱電子發(fā)射過程。根據(jù)憶阻的開關(guān)機(jī)制,分析并仿真了憶阻的指數(shù)模型和閾值模型;然后基于憶阻的物理機(jī)理,介紹了憶阻的相關(guān)特性,闡述了脈沖信號(hào)對(duì)憶阻阻值的影響,設(shè)計(jì)了基于憶阻存儲(chǔ)的讀、寫、擦除電路;為了實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)容量的提升,論文接著討論了憶阻交叉陣列結(jié)構(gòu),分析了

3、影響交叉陣列性能的漏電流問題,設(shè)計(jì)了一種降低漏電流的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。基于憶阻交叉陣列存儲(chǔ)的相關(guān)特性,本文最后介紹了樹形文件管理的相關(guān)原理,并對(duì)其進(jìn)行了一定的優(yōu)化,設(shè)計(jì)了基于憶阻存儲(chǔ)的文件管理樹的相關(guān)算法,主要包括文件樹的創(chuàng)建、搜索、刪除、擴(kuò)展和收縮的算法。通過文件管理樹,基于憶阻的存儲(chǔ)設(shè)備能夠高效地對(duì)憶阻存儲(chǔ)單元的物理地址進(jìn)行搜索,從而對(duì)存儲(chǔ)的信息進(jìn)行有效的讀、寫、擦除操作。
  本論文的研究成果包括了基于憶阻的非易失性存儲(chǔ)的各方面

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論