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1、浙江大學(xué)碩士學(xué)位論文高溫MOS器件的特性研究與模擬姓名:趙夢(mèng)戀申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師:吳曉波2001.1.1AbstractInthisdissertation,theclassical2dimensiondevicesimulationsoftwareMedici20hasbeenmodifiedandimprovedtofitthedevelopmentofthehightemperatureelect
2、ronics(HTE)Byanalyzingthetemperaturedependencyofsemiconductormaterials,theirbehaviorunderdifferentenvironmenttemperatureespeciallyathightemperatureas200~300。CisstudiedandreestimatedAsresults,somenewsolutionsofthermalsens
3、itiveparametersinsiliconhavebeenderivedandappliedtothephysicalmodelsinMediciincludingthemodelsofenergybandgap,intrinsiccarrierdensitythecarriermobilityandthelifetimeofminorcarrieretcWiththemodifiedmodels,itwillbepossible
4、forthesoftwaretostimulatethecharacteristicsofdeviceslikeMOSFETunderveryhighoperatingtemperatureupto300。CAsexamination,simulatingofdraincharacteristic,leakagecurrent,thresholdvoltageandothercharacteristicsofMOSFETusingthe
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