2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩61頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶(hù)提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、隨著互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)器件特征尺寸的不斷縮小，Si基MOS 器件的發(fā)展達(dá)到了其物理極限，新的溝道材料應(yīng)變SiGe 由于其具有空穴遷移率高，溫度范圍寬，熱傳導(dǎo)性良好和漏電流低等特點(diǎn)，成為了制造超小尺寸、高集成度、高頻、低噪聲集成電路的理想半導(dǎo)體材料。最近幾年，高k柵介質(zhì)Ge和SiGe MOSFETs的研究是微電子學(xué)領(lǐng)域的熱點(diǎn)，主要集中于高k柵介質(zhì)的制備工藝及其電特性研究。
　　 本文研究了SiGe MOSFET的遷

2、移率。在器件物理的基礎(chǔ)上，考慮了應(yīng)變對(duì)SiGe合金能帶結(jié)構(gòu)參數(shù)的影響，建立了一個(gè)半經(jīng)驗(yàn)的Si1-xGex pMOSFET 反型溝道空穴遷移率模型。該模型重點(diǎn)討論了反型電荷對(duì)離化雜質(zhì)散射的屏蔽作用，由此對(duì)等效體晶格散射遷移率進(jìn)行了修正。并且詳細(xì)討論了等效體晶格散射遷移率隨摻雜濃度Nd和Ge組分x的變化。利用該模型，對(duì)影響空穴遷移率的主要因素進(jìn)行了分析討論。本文介紹了高k柵介質(zhì)Ge MOS 電容樣品的制備，并進(jìn)行了測(cè)試。比較了濕N2 退火和

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論