深亞微米全耗盡SOI MOSFET參數(shù)提取方法的研究.pdf

1、隨著SOI技術(shù)的迅速發(fā)展,憑借SOI器件本身固有的優(yōu)良特性,SOI器件已經(jīng)在眾多領(lǐng)域得到了應(yīng)用.對(duì)SOI電路進(jìn)行HSPICE仿真是電路設(shè)計(jì)的有效手段,然而精確的器件參數(shù)是保證仿真正確的必要條件,因此對(duì)不同工藝條件下的SOI電路進(jìn)行SPICE仿真時(shí)首先需要提取其器件參數(shù).由于SOI MOSFET包含許多復(fù)雜的物理效應(yīng),從而使得參數(shù)提取工作變得非常棘手,傳統(tǒng)參數(shù)提取,需要對(duì)器件進(jìn)行建模,然后選擇提取算法,進(jìn)行大量的計(jì)算.為了減少計(jì)算量,提高

2、參數(shù)提取效率,本文考慮借助ISE器件模擬軟件進(jìn)行參數(shù)提取的工作. 在分析了傳統(tǒng)參數(shù)提取的方法和流程后,針對(duì)傳統(tǒng)參數(shù)提取過于繁瑣,需要大量的計(jì)算的缺點(diǎn),論文研究了一種新的參數(shù)提取方法.首先利用ISE器件模擬軟件,建立了0.25μm全耗盡SOI MOSFET結(jié)構(gòu),對(duì)其IV特性進(jìn)行了模擬,在模擬的過程中加入了二級(jí)物理效應(yīng)模型,浮體效應(yīng)模型,自加熱效應(yīng)模型等:然后將模擬得到的特性曲線與已有的實(shí)測(cè)曲線相對(duì)比,對(duì)比相吻合后,利用模擬的特性曲

3、線進(jìn)行外推,參照傳統(tǒng)體硅器件的參數(shù)提取方法,基于BSIMSOI器件模型,對(duì)0.25μm SOI MOSFET進(jìn)行了參數(shù)提取的工作；最后根據(jù)CompactModel Council的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)SOI MOSFET物理模型和參數(shù)進(jìn)行了驗(yàn)證.通過SOIMOSFET器件的ISE模擬出的特性曲線與相對(duì)應(yīng)的實(shí)測(cè)曲線的對(duì)比,驗(yàn)證了SOIMOSFET物理模型的正確性；通過將SOI MOSFET器件提取出的參數(shù)代入HSPICE中進(jìn)行模擬,得到的特性曲線與IS