ECR-CVD制備a-SixN：H薄膜及其發(fā)光性能的研究.pdf

1、使用微波電子回旋共振等離子體化學(xué)氣相沉積(ECR-CVD)方法室溫生長了非晶氫化的氮化硅薄膜。在薄膜制備方面，通過改變前驅(qū)氣體的流量比，研究了薄膜的生長速率、等離子體的發(fā)射光譜、薄膜的紅外光譜和X射線光電子能譜。結(jié)果表明：隨著NH3(N2)流量的增加，氮化硅薄膜的生長速率呈下降趨勢，這主要是由于等離子體中的氣相前驅(qū)成分之一硅基團(tuán)濃度的不斷下降所導(dǎo)致的；隨著NH3(N2)流量的增加，薄膜中鍵合了較多的具有較高電負(fù)性的N原子是Si-N和Si

2、-H伸縮振動發(fā)生藍(lán)移的主要原因。紅外光譜的定量計算表明所制備的氮化硅薄膜具有相對較低的H濃度，約15％左右。文中對氮化硅薄膜的生長機(jī)制也進(jìn)行了討論。 在薄膜發(fā)光研究方面，制備了電致發(fā)光器件，對薄膜的光致發(fā)光和電致發(fā)光進(jìn)行了研究。結(jié)果表明：富硅狀態(tài)下，電致發(fā)光與光致發(fā)光波長隨著薄膜的硅含量減少逐漸‘藍(lán)移’，富氮情況下發(fā)光峰不再移動。我們認(rèn)為，非晶硅量子點(diǎn)的量子限制效應(yīng)和薄膜重的缺陷對薄膜發(fā)光都作貢獻(xiàn)。富硅狀態(tài)下，薄膜中過剩的硅形成