FED發(fā)光薄膜的制備及其性能研究.pdf

1、場(chǎng)發(fā)射顯示器(FED)具有高分辨率、高全色、全狄度、高亮度、和高對(duì)比度,響應(yīng)速度快,有很強(qiáng)的非線性Ⅰ-Ⅴ特性,適合多角度以及極端條件下應(yīng)用,功耗低,節(jié)省能源,冷陰極多微尖冗余發(fā)射,更加環(huán)保等優(yōu)勢(shì),是新發(fā)展的一種很有前途的平板顯示器.目前,FED的發(fā)展也同樣面臨著一些挑戰(zhàn),例如:新顯示材料和新的制備方法、場(chǎng)發(fā)射陣列的新材料和新結(jié)構(gòu)、FED的隔離柱材料及封裝技術(shù).顯示屏作為FED的重要組成部分,對(duì)顯示材料和制備工藝提出了更高的要求.FED對(duì)

2、于熒光材料的要求與傳統(tǒng)的CRT熒光材料不同,需要具有放氣量小、導(dǎo)電性好、對(duì)陰極無(wú)害、能夠在低壓高密度激發(fā)條件下工作等特性,在制屏工藝上,傳統(tǒng)薄膜屏由于表面粗糙,致密及均勻性差,容易造成光的反射且穩(wěn)定性不好等缺點(diǎn)不能滿足FED的要求,而薄膜屏因具有熒光層表面平整、與基底結(jié)合良好、熱穩(wěn)定性高等優(yōu)勢(shì),成為研究的熱點(diǎn).該文首先以寬帶隙半導(dǎo)體材料作為場(chǎng)發(fā)射陰極材料、以熒光薄膜作為陽(yáng)極材料構(gòu)建了FED工作模型.研究了半導(dǎo)體材料場(chǎng)發(fā)射特性、極板間距,

3、真空度,電子的渡越時(shí)間、FED熒光薄膜的發(fā)光性能,探討了一些提高FED性能的有效途徑.為下一步的實(shí)驗(yàn)研究提供理論依據(jù).該文還描述了薄膜生長(zhǎng)的一般過(guò)程,采用統(tǒng)計(jì)物理學(xué)建立起來(lái)的原子成核和生長(zhǎng)模型,描述薄膜生長(zhǎng)的基本過(guò)程.并利用蒙特卡羅(Monte Carlo)方法模擬薄膜生長(zhǎng).從模擬的結(jié)果可以看出,覆蓋度,基底溫度與成團(tuán)原子數(shù)之間有密切關(guān)系,影響著薄膜生長(zhǎng).在對(duì)薄膜屏工作原理、薄膜生長(zhǎng)過(guò)程的研究基礎(chǔ)上,用電子束蒸發(fā)方制備了Y2O3:Eu熒