2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩53頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、石墨烯(Graphene)是具有獨(dú)特晶體結(jié)構(gòu)的二維材料。因其優(yōu)良的透光性和超高的電子遷移率等優(yōu)勢(shì),在光電器件和半導(dǎo)體領(lǐng)域中有廣闊的應(yīng)用前景。為了發(fā)揮石墨烯的諸多優(yōu)良性能,高質(zhì)量的石墨烯則是必不可少的。本文基于化學(xué)氣相沉積(CVD)法,以銅箔為生長襯底,CH4為碳源,H2為還原性氣體,在低壓條件下制備石墨烯。研究了石墨烯生長過程中的襯底質(zhì)量以及碳源濃度對(duì)石墨烯質(zhì)量的影響。并通過掃描電鏡、拉曼光譜等方法對(duì)石墨烯薄膜進(jìn)行表征,同時(shí)測(cè)試了石墨烯

2、的薄膜透光率以及方阻。最后選擇綜合性能優(yōu)異的石墨烯加工成石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GFET),并對(duì)其電學(xué)性能進(jìn)行研究,為石墨烯微電子器件的應(yīng)用提供了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。
  本研究主要內(nèi)容包括:⑴探究了銅襯底退火前后對(duì)石墨烯薄膜生長質(zhì)量的影響。發(fā)現(xiàn)石墨烯在退火后的銅箔上生長的質(zhì)量要優(yōu)于退火前,銅箔退火后石墨烯薄膜的連續(xù)性和平整度均有較大幅度的提高。⑵研究了CH4-濃度對(duì)石墨烯薄膜質(zhì)量的影響。研究發(fā)現(xiàn),隨著CH4濃度的升高,石墨烯的成膜效果越來越好

3、。當(dāng)CH4濃度達(dá)到30sccm時(shí),所生長的石墨烯為單層石墨烯薄膜,且薄膜均一性達(dá)到最好,成膜缺陷降到最低。繼續(xù)升高CH4濃度則出現(xiàn)多層石墨烯的區(qū)域,導(dǎo)致薄膜質(zhì)量下降。⑶對(duì)所制備的石墨烯進(jìn)行了透光率和薄膜方阻的測(cè)試。結(jié)果表明,本實(shí)驗(yàn)所制備的石墨烯具有較高的透光率(92.7%-95.5%)和較低的方阻(142.2-435.2Ω/sq)。⑷在實(shí)驗(yàn)制備的高質(zhì)量的單層石墨烯薄膜表面附著掩膜版,采用真空蒸鍍工藝將石墨烯加工成場(chǎng)效應(yīng)晶體管,并對(duì)其電子

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論