化學氣相沉積法制備石墨烯及其光電性能研究.pdf

1、學位授予單位及代碼：垂墨堡工盔堂!!Q!豎2學科專業(yè)名稱及代碼：攫星盔拉墼!QZQ!墮2研究方向：塑鲞墅舷扭魁申請學位級別：熊主導師：奎金蘭割童益研究生：墼堂煎論文起止時叫：墊!Q：!!=蘭Q!!：12柵摘要化學氣相沉積法是制備大面積高質量石墨烯的重要途徑。但是在多晶金屬材料上實現層數可控的石墨烯生長仍然是一個挑戰(zhàn)。針對這一問題，本論文丌展了以下研究；(1)利用化學氣相沉積方法，在晶圓尺寸的鎳膜表面合成了石墨烯薄膜材料。通過對反應氣氛、

2、鎳膜厚度及生長時間的調控，實現了對石墨烯薄膜層數及均勻性的調節(jié)。將這種制備方法拓展到銅箔銅鎳合金、鑲箔和泡沫鎳等其他襯底上，同樣得到了高質量的石墨烯薄膜材料。(2)通過將鎳膜上生長的石墨烯做成霍爾器件和場效應器件研究了所制各韻石墨烯薄膜的電學性質。結果表明，以化學氣相沉積法在鎳膜表面合成的石墨烯薄膜的室溫遷移率高達2900Cm2v1sI，其層問扭曲的少層石墨烯薄膜具有優(yōu)異的透明導電性能，它在透光率為92％時的方塊電阻可低至100n／o。