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1、 本文針對提高和控制新型高介電常數(shù)柵介質(zhì)薄膜的質(zhì)量的問題，成功研制了準(zhǔn)分子紫外光誘導(dǎo)12英寸化學(xué)氣相沉積設(shè)備(Photo-CVD)，并在此基礎(chǔ)上開展了多種高介電常數(shù)薄膜材料的低溫生長與特性研究，研究結(jié)果成功實(shí)現(xiàn)了Ti鋁酸鹽薄膜成份的連續(xù)可調(diào)(從純TiO2到純Al2O3)。 本文針對高介電常數(shù)柵介質(zhì)薄膜與半導(dǎo)體襯底界面特性的問題，利用原位光電子能譜技術(shù)系統(tǒng)地研究了金屬、金屬氧化物、金屬硅酸鹽、金屬硅化物、SiO2和Si整個(gè)材料體
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