氮化硼薄膜的熱絲輔助等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備及其紫外光敏性能研究.pdf

1、該實(shí)驗(yàn)以氮化硼薄膜在紫外空間光探測器件-紫外液晶光閥中的實(shí)際應(yīng)用為出發(fā)點(diǎn),以獨(dú)立設(shè)計(jì)搭建的鐘罩式熱絲輔助電容耦合射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(HF-PECVD)設(shè)備,以經(jīng)過超聲預(yù)處理的單晶硅和石英破璃為襯底,在低溫條件下制備氮化硼和磷摻雜氮化硼薄膜材料.系統(tǒng)地研究了襯底的超聲預(yù)處理工藝、沉積溫度、射頻功率以及氫氣對氮化硼薄膜的生長、組成及表面形貌結(jié)構(gòu)的影響.實(shí)驗(yàn)采用磷對氮化硼進(jìn)行了摻雜,成功地在光學(xué)石英玻璃襯底上沉積了磷摻雜氮化硼(BN

2、<,x>P<,1-x>)薄膜,研究了該薄膜的紫外光敏特性,其吸收邊在240nm~400nm的紫外波段內(nèi)可以連續(xù)變化,同時也實(shí)現(xiàn)了對氮化硼光學(xué)帶隙在3.8eV~5.3eV范圍內(nèi)的連續(xù)可控調(diào)制.實(shí)驗(yàn)通過在襯底表面沉積過渡層的方法,改善了磷摻雜氮化硼薄膜與襯底的結(jié)合強(qiáng)度.在以上對氮化硼薄膜以及磷摻雜氮化硼薄膜制備工藝、性能和微結(jié)構(gòu)研究分析的基礎(chǔ)上,該論文還探討了薄膜材料在紫外空間光探測器件-紫外液晶光閥上應(yīng)用的可行性.實(shí)驗(yàn)與理論分析證明磷摻雜