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1、我們利用朗謬探針,針對微波電子回旋共振CVD制備非晶硅薄膜系統(tǒng),測試了等離子體特性自行設(shè)計(jì)加工的最近發(fā)展起來的Cat-CVD系統(tǒng)制備SiC薄膜,研究了襯底溫度、工作氣壓、氣體比例、襯底負(fù)偏壓等工藝條件對薄膜的影響.在不加熱襯底的條件下,僅通過觸媒(熱絲)的熱輻射,在實(shí)際襯底溫度低于300℃時(shí),得了β-SiC薄膜.因此,不僅拓展了Cat-CVD制備技術(shù)的應(yīng)用范圍,而且也使得CVD低溫制備β-SiC薄膜的工作進(jìn)入了一個新的階段.進(jìn)一步結(jié)合襯
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