基于TWB-TCAD下的亞微米nMOS小尺寸效應的抑制方案優(yōu)化研究.pdf

1、首先,分析了集成電路虛擬制造技術,對傳統(tǒng)的集成電路制造系統(tǒng)和集成電路虛擬制造系統(tǒng)確定最佳工藝條件的方法進行了對比.介紹了集成電路制造工藝仿真系統(tǒng)TSUPREM-4和半導體器件物理特性仿真系統(tǒng)Medici的仿真功能,分析了TSUPREM-4和Medici仿真系統(tǒng)所采用的仿真模型.介紹了集成電路虛擬制造系統(tǒng)Taurus Workbench,并分析了Taurus Workbench 系統(tǒng)的運行機制和優(yōu)化機制.Taurus Workbench系

2、統(tǒng)集成了TSUPREM-4仿真系統(tǒng)和Medici仿真系統(tǒng),是一個集成化的集成電路TCAD一體化仿真與優(yōu)化平臺.根據(jù)亞微米CMOS結(jié)構(gòu)的nMOS工藝的小尺寸效應,討論了亞微米CMOS結(jié)構(gòu)的nMOS的工藝流程和器件結(jié)構(gòu)的新特點.對穿通效應進行了理論分析,提出了抑制穿通效應的工藝;給出了調(diào)整閾值電壓的工藝;著重對熱載流子效應采用的輕摻雜漏(LDD)的器件結(jié)構(gòu).采用TSUPREM-4系統(tǒng)和Medici系統(tǒng)聯(lián)機仿真的方式,探討和分析了采用LDD結(jié)