VLSI工藝中鋁互連與蝕刻的研究.pdf

1、電子科技大學碩士學位論文VLSI工藝中鋁互連與蝕刻的研究姓名：王強申請學位級別：碩士專業(yè)：材料物理與化學指導教師：姜斌20050101電子科技大學碩士學位論文摘要在VLSI工藝中，A1互連具有舉足輕重的地位，本文重點對A1薄膜的濺射工藝及蝕刻工藝進行詳細的研究。磁控濺射中，濺射溫度對濺射鋁膜有很重要的影響，它關系到鋁原子的能量，原子在硅片表面的吸附，凝結等鋁薄膜的形成過程。襯底溫度決定原子的表面遷移率，襯底溫度是影響淀積的鋁膜的均勻性和

2、臺階覆蓋能力的主要因素。本文通過調(diào)節(jié)Varian3290的各項參數(shù)來控制襯底的溫度，研究溫度對鋁膜的影響，使濺射的鋁膜能夠符合半導體制造的要求。實驗得出，在設定的加熱溫度在150。C～2506C時，鋁膜的質(zhì)量較好。襯底溫度越高，鋁膜越不容易出現(xiàn)鋁凹陷，臺階覆蓋性越好，但是薄膜的表面形貌會相應變差。在蝕刻方面，以AppliedMaterials的8330機臺為基礎，通過大量的實驗，研究了如何優(yōu)化蝕刻速率、均勻性、選擇比、化合物等主要蝕刻參