VLSI制造中物理氣相淀積工藝的優(yōu)化及其相關(guān)研究.pdf

1、物理氣相淀積是半導(dǎo)體芯片制程后端眾所周知的金屬布線技術(shù)。其中，接觸、通孔和互連線是布線中的三種主要結(jié)構(gòu)。隨著半導(dǎo)體芯片所需金屬層數(shù)愈來愈多，后段金屬鍍膜的比重也愈形重要，估計將來甚至可達(dá)到一半以上。因而物理氣相淀積法，在半導(dǎo)體制程上，扮演著舉足輕重的角色。 本文系統(tǒng)的研究了濺射工藝中由于硬件設(shè)備使用不當(dāng)和硬件設(shè)備配置不當(dāng)而引起的雜質(zhì)顆粒增加的現(xiàn)象。在實際試驗中，對由硬件設(shè)備而引起的電弧放電現(xiàn)象進(jìn)行了模擬試驗，用IEMS監(jiān)測系統(tǒng)對

2、反應(yīng)腔體內(nèi)的電弧放電現(xiàn)象進(jìn)行了跟蹤。由此發(fā)現(xiàn)了電弧放電現(xiàn)象對雜質(zhì)顆粒數(shù)的影響。 其次從研究靶材晶粒參數(shù)的角度出發(fā)，對于濺射過程中所采用的靶材料的制備、制備過程中運(yùn)用到的燒結(jié)理論基礎(chǔ)，以及實驗中采用的濺射系統(tǒng)及其應(yīng)用技術(shù)都做了相應(yīng)的研究和介紹：著重探討了濺射過程中晶粒參數(shù)的改變對薄膜生長性質(zhì)，主要是淀積薄膜的均勻度以及淀積速度的影響。并通過對不同晶粒尺寸A¨﹪Si靶材濺射而得到的薄膜參數(shù)的對比分析，得出了鋁合金靶材的晶粒大小和淀積