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1、隨著分子束外延(MBE)技術(shù)和納機(jī)電系統(tǒng)加工技術(shù)的快速發(fā)展,各種新型的超晶格量子阱器件被加工出來(lái)。因尺度變小而產(chǎn)生的各種效應(yīng)(包括量子效應(yīng))就會(huì)凸現(xiàn)出來(lái),基于這些效應(yīng)的納機(jī)電器件會(huì)體現(xiàn)出新的特征和性能。本文研究了基于GaAs超晶格半導(dǎo)體薄膜結(jié)構(gòu)的“介觀壓阻效應(yīng)”的微位移傳感器:在力學(xué)信號(hào)作用下,共振隧穿雙勢(shì)壘(DBRT)結(jié)構(gòu)的內(nèi)部應(yīng)力分布發(fā)生變化;一定條件下應(yīng)力變化引起內(nèi)建電場(chǎng)的產(chǎn)生;內(nèi)建電場(chǎng)將導(dǎo)致共振隧穿異質(zhì)結(jié)中的量子能級(jí)發(fā)生變化;量
2、子能級(jí)變化會(huì)引起共振隧穿電流的產(chǎn)生,通過(guò)上述四個(gè)物理過(guò)程可以將一個(gè)較弱的力學(xué)信號(hào)轉(zhuǎn)化為較強(qiáng)的電學(xué)信號(hào)。 本文詳細(xì)介紹了GaAs基壓阻型微位移傳感器的工作原理和結(jié)構(gòu)。利用Matlab軟件對(duì)DBRT結(jié)構(gòu)敏感元件進(jìn)行了計(jì)算,分析了它的壓阻特性;用Ansys軟件對(duì)傳感器彈性梁進(jìn)行了位移、應(yīng)變和固有頻率進(jìn)行了仿真分析,最后計(jì)算了傳感器的輸入輸出特性和靈敏度,和經(jīng)典的壓阻式位移傳感器作了比較。 主要研究?jī)?nèi)容如下: (1)對(duì)基
3、于共振隧穿雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)的透射系數(shù)和隧穿電流公式進(jìn)行推導(dǎo)。 (2)計(jì)算DBRT結(jié)構(gòu)中,應(yīng)變對(duì)隧穿電流的影響,分析它的壓阻效應(yīng)。 (3)計(jì)算傳感器等截面梁和等強(qiáng)度梁的輸入輸出特性和固有頻率。 (4)用Ansys軟件對(duì)兩種彈性梁的應(yīng)變和固有頻率進(jìn)行仿真,選擇合適的位置粘貼應(yīng)變片以后,計(jì)算它的輸入輸出關(guān)系和靈敏度,并與同類(lèi)傳感器進(jìn)行比較。 本論文從理論上驗(yàn)證了介觀壓阻效應(yīng)原理可以提高傳感器的靈敏度,為設(shè)計(jì)新型的傳感
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