DSPC50的可測(cè)性設(shè)計(jì)及電路實(shí)現(xiàn).pdf

1、隨著集成電路規(guī)模的不斷增大，集成電路的測(cè)試問(wèn)題變得越來(lái)越棘手，于是提出了可測(cè)性設(shè)計(jì)。本文對(duì)DSPC50進(jìn)行了可測(cè)性設(shè)計(jì)。第一章首先介紹了幾種主要的可測(cè)性設(shè)計(jì)方法，比較了各自的特點(diǎn)，確定了各自的適用范圍。在此基礎(chǔ)上得到DSPC50的可測(cè)性設(shè)計(jì)的整體方案，即采用邊緣掃描設(shè)計(jì)提高芯片在板級(jí)的可測(cè)性，同時(shí)用全掃描思想設(shè)計(jì)芯片核心電路，以降低芯片本身測(cè)試的難度，即將芯片的全掃描設(shè)計(jì)包含入邊緣掃描系統(tǒng)。文中第二章按照IEEE.1149標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)設(shè)計(jì)了

2、邊緣掃描測(cè)試系統(tǒng)，相應(yīng)增加了兩個(gè)專用數(shù)據(jù)寄存器，其中一個(gè)為掃描鏈寄存器，一個(gè)為掃描子鏈控制寄存器。第三章以電路中高速的16*16定點(diǎn)乘法器為例，介紹了功能電路的設(shè)計(jì)、可測(cè)性電路的結(jié)構(gòu)、測(cè)試碼的生成方法。由于片內(nèi)有SRAM，而SRAM的片外測(cè)試比較困難且速度較慢，所以文中第四章采用BIST技術(shù)對(duì)SRAM進(jìn)行了可測(cè)性設(shè)計(jì)，完成后可以用正常的工作速度對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行測(cè)試。最后一章是對(duì)全文的總結(jié)，并且對(duì)所做的工作的創(chuàng)新之處做了比較詳細(xì)的介紹，對(duì)后續(xù)